專用集成電路實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書

定　價(jià)：￥38.80

作　者：	張法碧著
出版社：	華中科技大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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京東 (￥38.80)

ISBN：	9787568055451	出版時(shí)間：	2019-12-01	包裝：	平裝
開本：	16	頁數(shù)：	192	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書主要介紹了專用集成電路實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的全過程，在教材內(nèi)容設(shè)置方面將以專用集成電路實(shí)際操作為主線，逐步分析前期、后期電路設(shè)計(jì)和版圖驗(yàn)證及修改等參數(shù)的設(shè)定，分層遞進(jìn)展開從電路圖到版圖，從模擬設(shè)計(jì)到數(shù)字設(shè)計(jì)的進(jìn)一步分析分析、結(jié)合cadence軟件在linux系統(tǒng)的應(yīng)用及相關(guān)專業(yè)的特點(diǎn)，在各章節(jié)后設(shè)置具體模擬案例，便于學(xué)生理解、學(xué)習(xí)和掌握，力求涵蓋電子科學(xué)與技術(shù)、電子與通信工程一級(jí)學(xué)科專業(yè)的科學(xué)研究所需的基礎(chǔ)內(nèi)容。

作者簡介

　　張法碧，男，教授，碩士生導(dǎo)師。廣西高校引進(jìn)海外高層次人才“百人計(jì)劃”，“廣西高校千名骨干教師培訓(xùn)計(jì)劃”人選，廣西“創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)青年人才培養(yǎng)示范”，“廣西E層次人才”；研究領(lǐng)域：微電子與固體電子學(xué)。研究方向：紫外探測(cè)材料器件、寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件、二維材料與器件、透明氧化物薄膜與器件、功率器件。主持國*級(jí)項(xiàng)目一項(xiàng)，其他項(xiàng)目十余項(xiàng)。在Applied physics letters， Thin solid film， Journal of alloy and compounds等國際著名期刊已發(fā)表論文50余篇。成果獲得了美國空軍研究實(shí)驗(yàn)室、美國華盛頓大學(xué)、意大利卡利亞里大學(xué)等機(jī)構(gòu)的一致好評(píng)與引用。曾經(jīng)獲得過國家多媒體課件大賽理工組二等獎(jiǎng)，廣西教育技術(shù)應(yīng)用大賽特等獎(jiǎng)，廣西教學(xué)成果二等獎(jiǎng)。

圖書目錄

1Cadence系統(tǒng)環(huán)境設(shè)置與基本操作(1) 1.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1) 1.2實(shí)驗(yàn)原理(1) 1.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(4) 2二輸入與非門電路原理圖設(shè)計(jì)(9) 2.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?9) 2.2實(shí)驗(yàn)原理(9) 2.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(11) 2.4拓展實(shí)驗(yàn)(16) 3ADE 設(shè)置(18) 3.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?18) 3.2實(shí)驗(yàn)原理(18) 3.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(21) 4原理圖的層次化設(shè)計(jì)與仿真(29) 4.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?29) 4.2實(shí)驗(yàn)原理(29) 4.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(29) 4.4拓展實(shí)驗(yàn)(42) 5ADE設(shè)置——MOS特性測(cè)量(43) 5.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?43) 5.2實(shí)驗(yàn)原理(43) 5.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(44) 5.4拓展實(shí)驗(yàn)(53) 專用集成電路實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書目錄6運(yùn)算放大器的仿真驗(yàn)證(54) 6.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?54) 6.2實(shí)驗(yàn)原理(54) 6.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(54) 7AMS數(shù)/?；旌戏抡嫫?62) 7.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?62) 7.2實(shí)驗(yàn)原理(62) 7.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(63) 7.4拓展實(shí)驗(yàn)(68) 8Layout環(huán)境設(shè)置與基本操作(70) 8.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?70) 8.2實(shí)驗(yàn)原理(70) 8.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(71) 8.4拓展實(shí)驗(yàn)(78) 9MOS版圖設(shè)計(jì)(79) 9.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?79) 9.2實(shí)驗(yàn)原理(79) 9.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(79) 9.4拓展實(shí)驗(yàn)(83) 10BJT版圖設(shè)計(jì)(84) 10.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?84) 10.2實(shí)驗(yàn)原理(84) 10.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(87) 10.4拓展實(shí)驗(yàn)(91) 11電阻、電容、二極管的版圖設(shè)計(jì)(92) 11.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?92) 11.2實(shí)驗(yàn)原理(92) 11.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(96) 12CMOS反相器版圖設(shè)計(jì)與Diva版圖驗(yàn)證工具(101) 12.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?101) 12.2實(shí)驗(yàn)原理(101) 12.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(104) 13NAND2版圖設(shè)計(jì)與Assura版圖驗(yàn)證工具(115) 13.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?115) 13.2實(shí)驗(yàn)原理(115) 13.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(116) 13.4拓展實(shí)驗(yàn)(134) 14環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)、仿真與Assura版圖驗(yàn)證工具(135) 14.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?135) 14.2實(shí)驗(yàn)原理(135) 14.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(136) 15版圖寄生參數(shù)的提取與后仿真(151) 15.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?151) 15.2實(shí)驗(yàn)原理(151) 15.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(152) 16版圖數(shù)據(jù)的導(dǎo)入、導(dǎo)出與識(shí)別(168) 16.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?168) 16.2實(shí)驗(yàn)原理(168) 16.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(169) 16.4拓展實(shí)驗(yàn)(171) 17異或門與RS觸發(fā)器的設(shè)計(jì)(172) 17.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?172) 17.2實(shí)驗(yàn)原理(172) 17.2.1異或門的原理(172) 17.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(174) 17.3.4RS觸發(fā)器的設(shè)計(jì)(177) 17.4拓展實(shí)驗(yàn)(179) 18靜態(tài)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)(180) 18.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?180) 18.2實(shí)驗(yàn)原理(180) 18.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 (181) 18.4拓展實(shí)驗(yàn)(182) 19D觸發(fā)器的設(shè)計(jì)(183) 19.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?183) 19.2實(shí)驗(yàn)原理(183) 19.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(185) 20對(duì)生成的GDS文件進(jìn)行DRC及LVS(196) 20.1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?196) 20.2實(shí)驗(yàn)原理(196) 20.3實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(196) 附錄(202) 參考文獻(xiàn)(209)