高性能低功耗高可靠三維集成電路設(shè)計(jì)（精）

部分 高性能低功耗三維集成電路設(shè)計(jì)
第1章 三維集成電路的硅通孔布局
1．1 引言
1．2 研究現(xiàn)狀
1．3 基礎(chǔ)知識(shí)
1．3．1 三維集成電路設(shè)計(jì)
1．3．2 允許硅通孔數(shù)
1．3．3 小硅通孔數(shù)
1．3．4 線(xiàn)長(zhǎng)和硅通孔數(shù)的折衷
1．4 三維集成電路物理設(shè)計(jì)流程
1．4．1 劃分
1．4．2 硅通孔插入和布局
1．4．3 布線(xiàn)
1．5 三維全局布局算法
1．5．1 力驅(qū)動(dòng)布局簡(jiǎn)介
1．5．2 三維布局算法簡(jiǎn)介
1．5．3 三維集成電路中的單元布局
1．5．4 硅通孔位置原理中硅通孔的預(yù)布局
1．5．5 三維節(jié)點(diǎn)的線(xiàn)長(zhǎng)計(jì)算
1．6 硅通孔分配算法
1．6．1 硅通孔分配算法的解
1．6．2 基于MST的硅通孔分配
1．6．3 基于布局的硅通孔分配
1．7 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
1．7．1 線(xiàn)長(zhǎng)和運(yùn)行時(shí)間比較
1．7．2 金屬層和硅面積比較
1．7．3 線(xiàn)長(zhǎng)和硅通孔數(shù)折衷
1．7．4 線(xiàn)長(zhǎng)，管芯面積和管芯數(shù)折衷
1．7．5 硅通孔協(xié)同布局與硅通孑L位置對(duì)照
1．7．6 硅通孔尺寸影響
1．7．7 時(shí)序和功耗比較
1．8 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第2章 三維集成電路斯坦納布線(xiàn)
2．1 引言
2．2 研究現(xiàn)狀
2．3 基礎(chǔ)知識(shí)
2．3．1 問(wèn)題表述
2．3．2 研究方法簡(jiǎn)介
2．4 三維斯坦納樹(shù)構(gòu)建
2．4．1 算法簡(jiǎn)介
2．4．2 計(jì)算連接點(diǎn)和硅通孔位置
2．4．3 延時(shí)方程優(yōu)化
2．5 采用硅通孔重布局進(jìn)行三維樹(shù)精化
2．5．1 算法簡(jiǎn)介
2．5．2 可移動(dòng)范圍
2．5．3 簡(jiǎn)化熱分析
2．5．4 非線(xiàn)性規(guī)劃
2．5．5 整數(shù)線(xiàn)性規(guī)劃
2．5．6 快速整數(shù)線(xiàn)性規(guī)劃
2．6 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
2．6．1 實(shí)驗(yàn)參數(shù)
2．6．2 樹(shù)構(gòu)建結(jié)果
2．6．3 延時(shí)和線(xiàn)長(zhǎng)分布
2．6．4 硅通孔重布局結(jié)果
2．6．5 硅通孔尺寸和寄生效應(yīng)影響
2．6．6 鍵合類(lèi)型影響
2．6．7 兩管芯和四管芯疊層比較
2．7 結(jié)論
附錄
參考文獻(xiàn)
第3章 三維集成電路的緩沖器插入
3．1 引言
3．2 問(wèn)題定義
3．3 研究動(dòng)機(jī)宴例
……
第二部分 三維集成電路設(shè)計(jì)中的電可靠性
第三部分 三維集成電路設(shè)計(jì)中的熱可靠性
第四部分 三維集成電路設(shè)計(jì)的機(jī)械可靠性
第五部分 其他論題
縮略語(yǔ)