光伏硅晶體材料的制備、表征及應(yīng)用技術(shù)（賈鐵昆）

第一部分直拉單晶硅
第1章結(jié)晶理論2
1.1熱場(chǎng)與單晶生長(zhǎng)2
1.1.1晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)中的能量關(guān)系2
1.1.2熱場(chǎng)對(duì)單晶生長(zhǎng)的影響2
1.2晶核的形成和晶體的長(zhǎng)大6
1.2.1晶核的形成6
1.2.2晶體的長(zhǎng)大9
1.3生長(zhǎng)界面結(jié)構(gòu)模型11
1.4分凝效應(yīng)12
習(xí)題14

第2章區(qū)熔單晶硅的制備15
2.1區(qū)熔法簡(jiǎn)介15
2.2區(qū)熔單晶硅的生長(zhǎng)過(guò)程17
2.3區(qū)熔單晶硅的摻雜17
習(xí)題20

第3章直拉單晶硅的制備21
3.1直拉單晶硅的原輔料及主要設(shè)備21
3.1.1原輔料21
3.1.2直拉單晶爐28
3.1.3自動(dòng)硅料清洗機(jī)35
3.2直拉單晶硅的生長(zhǎng)技術(shù)36
3.2.1原輔料的準(zhǔn)備36
3.2.2直拉單晶硅的工藝過(guò)程39
3.2.3拉速、溫度曲線及堝升速度的計(jì)算49
3.2.4異常情況及處理方法51
3.3其他直拉技術(shù)53
3.3.1磁控直拉技術(shù)53
3.3.2連續(xù)直拉生長(zhǎng)技術(shù)54
3.3.3液體覆蓋直拉技術(shù)54
3.4直拉單晶硅的摻雜55
3.4.1雜質(zhì)分布規(guī)律55
3.4.2摻雜量計(jì)算55
習(xí)題60

第二部分鑄造多晶硅
第4章多晶硅鑄錠基礎(chǔ)理論63
4.1定向凝固生長(zhǎng)原理63
4.1.1成分過(guò)冷理論63
4.1.2界面穩(wěn)定性動(dòng)力學(xué)理論(MS理論)65
4.2多晶硅的定向凝固68
4.2.1平面凝固技術(shù)68
4.2.2凝固界面形態(tài)70
4.2.3晶粒尺寸的控制71
習(xí)題72

第5章多晶硅鑄錠73
5.1多晶硅鑄錠技術(shù)簡(jiǎn)介73
5.2鑄錠的主要原輔料及設(shè)備76
5.2.1原輔料76
5.2.2鑄錠主要設(shè)備76
5.3多晶硅鑄錠工藝79
5.3.1坩堝噴涂80
5.3.2裝料82
5.3.3長(zhǎng)晶過(guò)程83
5.3.4鑄錠出爐84
習(xí)題84

第6章鑄造多晶硅中的雜質(zhì)85
6.1鑄造多晶硅中的氧85
6.1.1氧雜質(zhì)的來(lái)源和濃度分布85
6.1.2多晶硅中氧的存在狀態(tài)86
6.2鑄造多晶硅中的碳、氮和氫87
6.2.1鑄造多晶硅中的碳87
6.2.2鑄造多晶硅中的氮88
6.2.3鑄造多晶硅中的氫89
6.3鑄造多晶硅中的金屬雜質(zhì)和吸雜90
6.3.1鑄造多晶硅中的金屬雜質(zhì)90
6.3.2金屬雜質(zhì)的控制92
6.4鑄造多晶硅中的缺陷94
6.4.1鑄造多晶硅的晶界94
6.4.2鑄造多晶硅中的位錯(cuò)95
習(xí)題96

第三部分硅片加工
第7章硅片加工原輔料和主要設(shè)備98
7.1原輔料98
7.1.1傳統(tǒng)砂漿線切割用原輔料98
7.1.2金剛線100
7.1.3清洗用化學(xué)試劑103
7.1.4其他原輔料106
7.2切片主要設(shè)備108
7.2.1滾磨、開(kāi)方設(shè)備108
7.2.2清洗設(shè)備114
7.2.3切片設(shè)備115
習(xí)題116

第8章硅片加工工藝117
8.1單晶硅片切片工藝117
8.1.1切斷117
8.1.2滾磨、開(kāi)方118
8.1.3切片123
8.1.4硅片脫膠、清洗127
8.1.5檢驗(yàn)、分選和包裝138
8.2多晶硅片切片工藝146
8.3硅片切割質(zhì)量影響因素149
8.4新型切割技術(shù)151
習(xí)題152

第九章硅材料的表征153
9.1硅錠的表征153
9.1.1紅外探傷153
9.1.2少子壽命測(cè)試154
9.1.3P/N型測(cè)試155
9.1.4電阻率測(cè)試157
9.2硅片的表征160
9.2.1單晶切片工序相關(guān)硅片參數(shù)160
9.2.2硅片參數(shù)檢驗(yàn)162
9.3硅片自動(dòng)分選機(jī)165
習(xí)題169

第四部分硅片的光伏應(yīng)用——太陽(yáng)能電池
第10章太陽(yáng)能光電物理基礎(chǔ)171
10.1半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)171
10.1.1能帶結(jié)構(gòu)171
10.1.2半導(dǎo)體的光吸收和光復(fù)合174
10.1.3載流子的傳輸179
10.2太陽(yáng)能電池基本原理181
10.2.1P-N結(jié)181
10.2.2光生伏特效應(yīng)185
10.2.3太陽(yáng)能電池的特性參數(shù)188
習(xí)題192

第11章太陽(yáng)能電池的制備193
11.1太陽(yáng)能電池制備工藝193
11.1.1硅片檢測(cè)194
11.1.2表面制絨194
11.1.3擴(kuò)散制結(jié)204
11.1.4刻蝕和去磷硅玻璃215
11.1.5鍍減反射膜219
11.1.6金屬電極制備220
11.2太陽(yáng)能電池的測(cè)試和分選221
11.2.1分選機(jī)自動(dòng)分選221
11.2.2外觀分選224
11.2.3硅片常見(jiàn)不良227
11.3新型高效電池技術(shù)229
11.3.1P-PERC和N-PERT電池229
11.3.2HIT電池231
11.3.3TopCon電池231
11.3.4IBC電池232
習(xí)題234

參考文獻(xiàn)236