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SiC纖維及其陶瓷基復(fù)合材料

SiC纖維及其陶瓷基復(fù)合材料

定 價(jià):¥86.00

作 者: 陽(yáng)海棠,黃小忠 著
出版社: 中南大學(xué)出版社
叢編項(xiàng): 有色金屬文庫(kù)
標(biāo) 簽: 暫缺

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ISBN: 9787548740360 出版時(shí)間: 2020-07-01 包裝: 平裝
開(kāi)本: 16開(kāi) 頁(yè)數(shù): 260 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

  《SiC纖維及其陶瓷基復(fù)合材料/有色金屬文庫(kù)》內(nèi)容涉及SiC纖維的種類、制備工藝及全球?qū)@治?,SiC纖維的織構(gòu)成型,SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料制備工藝,SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料的精密加工,陶瓷基復(fù)合材料的EBCs涂層考核驗(yàn)證,SiCf/SiC復(fù)合材料的應(yīng)用現(xiàn)狀,及SiCf/SiC復(fù)合材料的力學(xué)模型等,力圖從SiC纖維到陶瓷基復(fù)合材料的編織、制備、加工、涂層、考核、計(jì)算及應(yīng)用等方面使讀者迅速、全面地掌握該領(lǐng)域的基本情況。

作者簡(jiǎn)介

  陽(yáng)海棠,博士,中南大學(xué)特聘副教授,博士生導(dǎo)師。主要從事材料計(jì)算、設(shè)計(jì)及復(fù)合材料制備方面的研究,同時(shí)致力于將材料應(yīng)用到航天、航空、核電領(lǐng)域。目前發(fā)表SCI學(xué)術(shù)論文四十余篇,申請(qǐng)授權(quán)發(fā)明專利十余項(xiàng),主持國(guó)家重要課題十余項(xiàng)。

圖書(shū)目錄

第1章 緒論
1.1 新型陶瓷纖維種類及制備方法
1.1.1 氧化鋁纖維
1.1.2 玄武巖纖維
1.1.3 氮化硅纖維
1.1.4 碳化硅纖維
1.1.5 氮化硼纖維
1.2 復(fù)合材料
1.2.1 復(fù)合材料的特點(diǎn)
1.2.2 復(fù)合材料的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
第2章 碳化硅纖維的種類、制備工藝及全球?qū)@治?br />2.1 概述
2.2 碳化硅纖維的種類
2.2.1 第一代SiC纖維
2.2.2 第二代SiC纖維
2.2.3 第三代SiC纖維
2.2.4 摻雜SiC纖維
2.3 碳化硅纖維的制備方法
2.3.1 先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法
2.3.2 化學(xué)氣相沉積法
2.3.3 活性炭纖維轉(zhuǎn)化法
2.4 碳化硅纖維專利分析
2.4.1 全球申請(qǐng)趨勢(shì)
2.4.2 中國(guó)申請(qǐng)趨勢(shì)
2.4.3 技術(shù)分布
2.4.4 全球技術(shù)構(gòu)成分析
2.4.5 中國(guó)技術(shù)構(gòu)成分析
2.4.6 中國(guó)、日本、美國(guó)專利申請(qǐng)對(duì)比分析
2.5 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 碳化硅纖維的織構(gòu)成型
3.1 概述
3.2 陶瓷纖維鋪排技術(shù)及設(shè)備
3.2.1 自動(dòng)鋪排
3.2.2 自動(dòng)鋪帶
3.2.3 張力纏繞
3.3 陶瓷纖維織造技術(shù)及設(shè)備
3.3.1 織造的介紹和定義
3.3.2 織造設(shè)備
3.4 纖維編織技術(shù)及設(shè)備
3.4.1 不連續(xù)纖維預(yù)制體
3.4.2 干單向絲束、上漿和上料
3.4.3 陶瓷半固化片
3.4.4 單向編織體
3.4.5 二維編織體
3.4.6 三維編織
3.4.7 4D、5D編織
3.4.8 Z-pinning增強(qiáng)技術(shù)
3.5 編織物
3.5.1 編織物簡(jiǎn)介
3.5.2 編織物的類型
3.5.3 雙軸向編織
3.5.4 三軸向編織
3.5.5 二維(2D)編織機(jī)
3.5.6 三維(3D)/多向編織
3.5.7 針刺
3.6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 SiCf/SiC復(fù)合材料制備工藝
4.1 概述
4.2 SiCf/SiC復(fù)合材料界面層的主要制備工藝
4.2.1 界面層簡(jiǎn)介
4.2.2 纖維界面涂層的制備方法
4.2.3 主要的界面層種類
4.2.4 小結(jié)
4.3 SiCf/SiC復(fù)合材料基體的主要制備工藝
4.3.1 化學(xué)氣相滲透(CVI)制備SiC/SiC復(fù)合材料基體
4.3.2 聚合物浸漬熱解(PIP)制備SiCf/SiC復(fù)合材料基體
4.3.3 熔體滲透(MI)工藝制備SiCf/SiC復(fù)合材料基體
4.3.4 混合工藝制備SiCf/SiC復(fù)合材料基體
參考文獻(xiàn)
第5章 SiC/SiC復(fù)合材料的精密加工
5.1 概述
5.2 國(guó)內(nèi)外進(jìn)展和水平
5.3 傳統(tǒng)加工
5.3.1 常規(guī)刀具
5.3.2 加工工藝參數(shù)
5.4 超聲波加工
5.5 水射流加工
5.5.1 水射流加工工具
5.5.2 水射流加工結(jié)果
5.5.3 水射流加工SiCf/SiC復(fù)合材料的優(yōu)點(diǎn)
5.6 磨料加工
5.6.1 磨料加工刀具
5.6.2 切削液
5.6.3 設(shè)備
5.6.4 過(guò)濾
5.7 激光加工
5.8 電火花放電加工
參考文獻(xiàn)
第6章 陶瓷基復(fù)合材料EBCs涂層及考核驗(yàn)證
6.1 概述
6.1.1 不同工藝制備的SiCf//SiC復(fù)合材料的特征
6.1.2 SiCf/SiC復(fù)合材料性能
6.2 不帶涂層SiCf/SiC復(fù)合材料的降解機(jī)理
6.2.1 水蒸氣降解
6.2.2 腐蝕性化學(xué)藥品的降解
6.3 SiCf/SiC涂層的發(fā)展歷程
6.3.1 簡(jiǎn)介
6.3.2 先進(jìn)的環(huán)境屏障涂層(EBCs)
6.3.3 環(huán)境屏障涂層(EBCs)抗CMAS腐蝕性能
6.4 EBCs涂層制備方法
6.4.1 簡(jiǎn)介
6.4.2 電子束-物理氣相沉積(EB-PVD)制備EBCs涂層
6.4.3 大氣等離子噴涂(APS)制備EBCs涂層[53]
6.4.4 電子束定向氣相沉積技術(shù)(EB-DVD)制備EBCs涂層[54]
6.4.5 其他方法制備EBCs涂層
6.5 帶EBCs涂層SiCr/SiC復(fù)合材料/構(gòu)件的考核測(cè)試
6.5.1 簡(jiǎn)介
6.5.2 帶EBCs涂層SiCf/SiC測(cè)試過(guò)程的降解情況
6.6 EBCs涂層的開(kāi)發(fā)與測(cè)試總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章 SiCr/SiC復(fù)合材料的應(yīng)用現(xiàn)狀
7.1 概述
7.2 SiC/SiC復(fù)合材料在航空發(fā)動(dòng)機(jī)的應(yīng)用現(xiàn)狀
7.3 SiCf/SiC復(fù)合材料驗(yàn)證和應(yīng)用舉例
7.3.1 聯(lián)合技術(shù)公司對(duì)CerCompTM陶瓷基復(fù)合材料的開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證
7.3.2 SiCf/SiC燃燒室襯板的研制及現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)
7.3.3 發(fā)動(dòng)機(jī)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
7.4 SiCf/SiC復(fù)合材料在核裂變的應(yīng)用現(xiàn)狀
7.4.1 第四代核裂變堆簡(jiǎn)介
7.4.2 SiCr/SiC復(fù)合材料在核裂變堆中的應(yīng)用部位
7.5 SiCf/SiC復(fù)合材料在核聚變領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀
7.5.1 核聚變堆簡(jiǎn)介
7.5.2 核聚變堆內(nèi)惡劣的服役環(huán)境
7.5.3 核聚變包層結(jié)構(gòu)候選材料
7.5.4 SiCf/SiC復(fù)合材料在核聚變中的應(yīng)用部位
7.6 SiCf/SiC復(fù)合材料在核領(lǐng)域的研究進(jìn)展
參考文獻(xiàn)
第8章 SiC/SiC復(fù)合材料的力學(xué)模型
8.1 SiCf/SiC復(fù)合材料本構(gòu)模型
8.1.1 材料本構(gòu)模型
8.1.2 單向增強(qiáng)復(fù)合材料本構(gòu)模型
8.1.3 多向鋪層復(fù)合材料本構(gòu)模型
8.1.4 平紋編織復(fù)合材料本構(gòu)模型
8.2 SiCf/SiC復(fù)合材料損傷模型
8.2.1 基于微觀模型的損傷模型
8.2.2 漸進(jìn)損傷模型
8.3 應(yīng)用舉例
8.3.1 概述
8.3.2 SiCf/SiC渦輪葉盤(pán)的應(yīng)力分析
8.3.3 強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證
參考文獻(xiàn)

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