表面分析技術(shù)（精）

第1章 引言
1.1 如何定義表面
1.2 表面有多少個原子
1.3 需要的信息
1.4 表面靈敏度
1.5 輻射效應(yīng)與表面損傷
1.6 數(shù)據(jù)的復(fù)雜性
第2章 俄歇電子能譜
2.1 引言
2.2 俄歇過程的原理
2.2.1 俄歇峰的動能
2.2.2 電離截面
2.2.3 俄歇電子和光子出射的比較
2.2.4 電子背散射
2.2.5 逃逸深度
2.2.6 化學(xué)位移
2.3 儀器設(shè)備
2.3.1 電子源
2.3.2 譜儀
2.3.3 采集方式
2.3.4 檢測限
2.3.5 儀器校準
2.4 定量分析
2.5 深度剖析
2.5.1 薄膜校準標樣
2.5.2 深度分辨率
2.5.3 濺射速率
2.5.4 擇優(yōu)濺射
2.5.5 λ-修正
2.5.6 AES剖析中的化學(xué)位移
2.6 結(jié)論
思考題
第3章 化學(xué)分析用電子能譜
3.1 概述
3.1.1 基本ESCA實驗
3.1.2 光電效應(yīng)和ESCA的歷史
3.1.3 ESCA提供的信息
3.2 X射線與物質(zhì)的相互作用、光電效應(yīng)和固體的光電發(fā)射
3.3 結(jié)合能和化學(xué)位移
3.3.1 Koopmans定理
3.3.2 初態(tài)效應(yīng)
3.3.3 終態(tài)效應(yīng)
3.3.4 結(jié)合能參考基準
3.3.5 絕緣體的電荷補償
3.3.6 峰寬
3.3.7 峰擬合
3.4 非彈性平均自由程和采樣深度
3.5 定量
3.5.1 定量方法
3.5.2 定量標準
3.5.3 定量實例
3.6 譜圖特征
3.7 儀器
3.7.1 ESCA實驗的真空系統(tǒng)
3.7.2 X射線源
3.7.3 分析器
3.7.4 數(shù)據(jù)系統(tǒng)
3.7.5 附件
3.8 譜圖質(zhì)量
3.9 深度剖析
3.10 X-Y分布和成像
3.11 化學(xué)衍生法
3.12 價帶
3.13 展望
……
第4章 SIMS的分子表面質(zhì)譜
第5章 動態(tài)SIMS
第6章 低能離子散射和盧瑟福背散射
第7章 表面振動光譜
第8章 基于干涉技術(shù)的表面結(jié)構(gòu)確定
第9章 掃描探針顯微鏡
第10章 多變量數(shù)據(jù)分析技術(shù)在表面分析中的應(yīng)用
附錄1 應(yīng)用表面科學(xué)真空技術(shù)
附錄2 單位、基本物理常數(shù)和換算