移動互聯(lián)網(wǎng)芯片技術體系研究

目 錄
第1章 緒論\t001
1．1 芯片產(chǎn)業(yè)概況\t001
1．2 影響芯片產(chǎn)業(yè)走向的關鍵因素\t002
1．2．1 生態(tài)體系構建\t003
1．2．2 芯片技術研發(fā)\t004
1．2．3 工藝制程\t004
1．2．4 用戶與伙伴\t005
1．2．5 政策扶持\t005
1．3 我國移動互聯(lián)網(wǎng)芯片發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)\t005
1．3．1 后來居上的創(chuàng)新機遇\t005
1．3．2 未來升級的挑戰(zhàn)和短板\t007
第2章 移動互聯(lián)網(wǎng)主要終端芯片\t011
2．1 基帶處理器\t012
2．1．1 基帶芯片\t012
2．1．2 射頻芯片\t014
2．2 應用處理器\t014
2．2．1 CPU\t015
2．2．2 GPU\t015
2．2．3 AI芯片\t016
2．2．4 電源管理芯片\t017
2．3 存儲芯片\t017
2．4 MEMS芯片\t020
第3章 移動互聯(lián)網(wǎng)芯片主要技術體系\t022
3．1 芯片設計\t022
3．1．1 IP核/Chiplet與SoC設計\t025
3．1．2 指令集\t027
3．1．3 微架構\t032
3．1．4 EDA工具\t037
3．2 芯片制造的制程、設備與材料\t038
3．2．1 先進制程工藝\t038
3．2．2 設備和相關材料\t041
3．3 芯片封裝與測試\t042
3．3．1 SIP技術\t043
3．3．2 多芯片fcCSP封裝\t046
3．3．3 3D封裝\t047
3．3．4 扇出式封裝\t049
本章參考文獻\t052
第4章 MEMS微波功率傳感器芯片設計與模擬研究\t054
4．1 微波功率傳感器及其應用\t054
4．2 國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀\t055
4．3 微波功率傳感器的設計\t059
4．3．1 微波功率傳感器的原理與理論\t059
4．3．2 微波功率傳感器的基本單元與性能\t065
4．3．3 微波功率傳感器的結構與材料\t068
4．3．4 微波功率傳感器的制造工藝\t071
4．4 仿真軟件簡介\t075
4．5 微波功率傳感器的仿真\t077
4．6 本章小結\t085
本章參考文獻\t085
第5章 移動互聯(lián)網(wǎng)芯片先進封裝可靠性檢測研究\t087
5．1 發(fā)展現(xiàn)狀\t089
5．1．1 國內(nèi)現(xiàn)狀\t089
5．1．2 國外現(xiàn)狀\t090
5．2 試驗樣本及參照標準介紹\t092
5．2．1 TSV技術類型\t092
5．2．2 TSV芯片結構\t092
5．2．3 TSV芯片制造工藝\t094
5．3 可靠性試驗概述\t095
5．3．1 可靠性定義\t095
5．3．2 目的\t096
5．3．3 分類\t096
5．4 可靠性試驗標準介紹\t096
5．4．1 JESD22-A113E\t096
5．4．2 JESD22-A104E\t097
5．4．3 JESD22-A118E\t097
5．4．4 JESD22-A102E\t098
5．4．5 IPC/JEDECJ-STD-020．1\t098
5．4．6 GJB 548B―2005\t098
5．4．7 GJB 7400―2011\t099
5．5 可靠性試驗方法\t099
5．5．1 試驗儀器\t099
5．5．2 試驗內(nèi)容及參數(shù)確定\t100
5．6 表征方法\t107
5．6．1 形狀分析激光顯微鏡\t107
5．6．2 X射線（X-Ray）檢測儀分析\t108
5．6．3 超聲波掃描電子顯微鏡（C-SAM）分析\t109
5．6．4 場發(fā)射掃描電子顯微鏡（SEM）分析\t110
5．6．5 X射線能譜儀（EDS）分析\t111
5．6．6 聚焦離子束（FIB）技術\t112
5．7 試驗數(shù)據(jù)及圖像分析\t112
5．7．1 形狀分析激光顯微鏡分析結果\t112
5．7．2 初始芯片A、B\t113
5．7．3 PC試驗后芯片C、D\t120
5．7．4 TC試驗后芯片E、F\t129
5．7．5 UHAST試驗后芯片G、H\t138
5．7．6 PCT試驗后芯片I、J\t147
5．8 X-Ray檢測儀分析結果\t156
5．9 C-SAM分析結果\t158
5．10 SEM與EDS分析結果\t159
5．11 本章小結\t184
本章參考文獻\t186