寬禁帶半導體電子材料與器件

目錄
叢書序
序
前言
第1章 緒論1
第2章 氮化物寬禁帶半導體及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì)6
2.1 氮化物半導體的基本物理性質(zhì)6
2.2 氮化物半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的基本物理性質(zhì)10
2.3 氮化物半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2DEG的高場輸運性質(zhì)12
2.4 氮化物半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2DEG的量子輸運性質(zhì)18
2.5 氮化物半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2DEG的自旋性質(zhì)23
參考文獻27
第3章 氮化物半導體及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長34
3.1 氮化物半導體的外延生長方法概述34
3.2 氮化物半導體的同質(zhì)外延生長57
3.3 氮化物半導體的異質(zhì)外延生長61
參考文獻79
第4章 氮化物半導體射頻電子器件93
4.1 GaN基射頻電子器件概述93
4.2 SiC襯底上GaN基微波功率器件94
4.3 Si襯底上GaN基射頻電子器件104
4.4 GaN基超高頻電子器件108
4.5 GaN基射頻電子器件的應(yīng)用113
參考文獻119
第5章 氮化物半導體功率電子器件123
5.1 GaN基功率電子器件概述123
5.2 增強型GaN基功率電子器件及異質(zhì)結(jié)構(gòu)能帶調(diào)制工程125
5.3 GaN基功率電子器件表面／界面局域態(tài)特性與調(diào)控136
5.4 GaN基垂直結(jié)構(gòu)功率電子器件140
5.5 GaN基功率電子器件的可靠性147
5.6 GaN基功率電子器件的應(yīng)用158
參考文獻167
第6章 SiC半導體單晶襯底及外延材料176
6.1 SiC半導體的基本物理性質(zhì)176
6.2 SiC半導體單晶襯底材料的生長179
6.3 SiC半導體材料的外延生長184
參考文獻199
第7章 SiC半導體功率電子器件205
7.1 SiC基功率電子器件概述205
7.2 SiC基整流二極管206
7.3 SiC基功率開關(guān)器件216
7.4 SiC基功率電子器件的應(yīng)用226
參考文獻230
第8章 半導體金剛石材料與功率電子器件236
8.1 半導體金剛石的基本物理性質(zhì)236
8.2 金剛石單晶材料的制備方法245
8.3 單晶金剛石襯底的制備251
8.4 高質(zhì)量半導體金剛石薄膜的外延生長256
8.5 半導體金剛石的摻雜和電導調(diào)控257
8.6 金剛石基半導體功率電子器件261
參考文獻269
第9章 氧化鎵半導體功率電子材料與器件280
9.1 氧化鎵半導體的基本物理性質(zhì)280
9.2 氧化鎵半導體單晶材料的生長282
9.3 氧化鎵基半導體功率電子器件296
參考文獻309