CMOS

第 1章 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)
1.1 引言
1.2 MOSFET的工作原理
1.2.1 累積
1.2.2 耗盡
1.2.3 反型
1.2.4 強反型
1.3 MOSFET的品質(zhì)因數(shù)
1.4 MOSFET器件結(jié)構(gòu)的演變
1.5 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章器件結(jié)構(gòu)小型化和演化進程
2.1 引言
2.2 尺寸和結(jié)構(gòu)的縮放
2.2.1 縮放原則
2.2.2 器件結(jié)構(gòu)的影響
2.2.3 無結(jié)型晶體管
2.3 光刻
2.3.1 增強分辨率
2.3.2 二次圖形化技術(shù)
2.3.3 極紫外光刻技術(shù)
2.3.4 掩模增強技術(shù)
2.4 電子束光刻
2.5 應(yīng)變工程
......
第8 章先進互連技術(shù)及其可靠性
8.1 引言
8.2 銅互連集成
8.2.1 大馬士革工藝
8.2.2 銅電阻隨互連微縮的變化
8.2.3 新型銅互連集成方案
8.3 low-k 介質(zhì)特征和分類
8.3.1 low-k特性
8.3.2 low-k分類和表征
8.3.3 low-k介質(zhì)集成挑戰(zhàn)
8.3.4 氣隙在互連中的實現(xiàn)
8.4 銅與硅和介質(zhì)的相互作用
8.4.1 銅與硅的相互作用
8.4.2 銅與介質(zhì)的相互作用
8.5 金屬擴散阻擋層
8.5.1 金屬間阻擋層的材料選擇
8.5.2 金屬擴散阻擋層的沉積
8.6 銅金屬化的可靠性
8.6.1 電遷移基礎(chǔ)理論
8.6.2 應(yīng)力致空洞化
8.7 先進金屬間介質(zhì)的可靠性
8.7.1 金屬間介質(zhì)的漏電機理
8.7.2 金屬間介質(zhì)的擊穿特性
8.8 可靠性統(tǒng)計和失效模型
8.8.1 概率分布函數(shù)
8.8.2 擊穿加速模型
8.9 未來的互連
8.10 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
后記
原著致謝