現(xiàn)代離子鍍膜技術(shù)

序1
序2
前言
第1章概述1
1.1離子鍍膜技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域1
1.2科學(xué)技術(shù)現(xiàn)代化對(duì)薄膜產(chǎn)品的新要求1
1.3鍍膜技術(shù)的類型3
1.3.1薄膜的初始制備技術(shù)3
1.3.2離子鍍膜技術(shù)3
1.4本書的主要內(nèi)容5
第2章真空物理基礎(chǔ)知識(shí)6
2.1真空6
2.1.1真空的定義6
2.1.2真空的形成6
2.1.3真空度的意義7
2.2氣體分子運(yùn)動(dòng)的基本規(guī)律7
2.2.1理想氣體分子運(yùn)動(dòng)規(guī)律7
2.2.2理想氣體的壓強(qiáng)9
2.2.3氣體分子的平均自由程10
2.2.4碰撞截面10
2.2.5分子運(yùn)動(dòng)速度11
2.3氣體分子和固體表面的相互作用12
2.3.1碰撞12
2.3.2吸附和解吸或脫附12
2.3.3蒸發(fā)和升華13
2.4陰極表面的電子發(fā)射14
2.4.1固體表面的電子狀態(tài)14
2.4.2金屬的熱電子發(fā)射16
2.4.3金屬的冷場致發(fā)射18
2.4.4光電子發(fā)射18
2.4.5二次電子發(fā)射19
參考文獻(xiàn)20
第3章等離子體物理基礎(chǔ)知識(shí)21
3.1引言21
3.2等離子體22
3.2.1等離子體的定義22
3.2.2等離子體的分類23
3.2.3等離子體的獲得方法24
3.3氣體的激發(fā)和電離24
3.3.1帶電粒子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)24
3.3.2粒子間碰撞后能量的變化規(guī)律25
3.3.3由電子非彈性碰撞產(chǎn)生的激發(fā)與電離27
3.3.4第二類非彈性碰撞33
3.3.5附著和離脫34
3.3.6帶電粒子的消失——消電離35
3.3.7氣體放電中的發(fā)光現(xiàn)象35
3.4氣體放電36
3.4.1氣體放電的過程36
3.4.2氣體放電的伏安特性曲線38
3.5輝光放電39
3.5.1輝光放電的特點(diǎn)39
3.5.2正常輝光放電和異常輝光放電41
3.5.3輝光放電兩極間各種特性的分布42
3.5.4輝光放電的空心陰極效應(yīng)44
3.5.5射頻放電46
3.5.6微波放電48
3.5.7大氣壓下的輝光放電49
3.6弧光放電53
3.6.1弧光放電的特性53
3.6.2弧光放電的類型54
3.6.3熱弧光放電54
3.6.4冷陰極弧光放電56
3.7帶電粒子的作用57
3.7.1離子的作用57
3.7.2電子的作用60
3.8帶電粒子的運(yùn)動(dòng)60
3.8.1帶電粒子在電場中的運(yùn)動(dòng)61
3.8.2帶電粒子在磁場中的運(yùn)動(dòng)61
3.8.3帶電粒子在電磁場中的運(yùn)動(dòng)64
3.9電磁場的運(yùn)用64
3.9.1同軸電磁場型離子鍍膜機(jī)65
3.9.2正交電磁場型離子鍍膜機(jī)65
參考文獻(xiàn)66
第4章真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)67
4.1真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)的分類67
4.2真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)67
4.2.1電阻蒸發(fā)鍍膜機(jī)67
4.2.2電子槍蒸發(fā)鍍膜機(jī)71
4.2.3激光蒸發(fā)鍍膜機(jī)73
4.2.4高頻感應(yīng)加熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)74
4.3真空蒸發(fā)鍍膜層的組織74
4.3.1真空蒸發(fā)鍍膜層的形成條件74
4.3.2真空蒸發(fā)鍍膜層的生長規(guī)律77
4.3.3影響膜層生長的因素78
4.3.4膜層厚度的均勻性79
4.4真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)80
4.4.1立式蒸發(fā)鍍膜機(jī)80
4.4.2卷繞式蒸發(fā)鍍膜機(jī)81
參考文獻(xiàn)84
第5章輝光放電離子鍍膜技術(shù)85
5.1直流二極型離子鍍膜技術(shù)85
5.1.1直流二極型離子鍍膜的裝置85
5.1.2直流二極型離子鍍膜的工藝過程86
5.1.3直流二極型離子鍍膜中的粒子能量86
5.1.4直流二極型離子鍍膜的條件87
5.1.5直流二極型離子鍍膜中高能離子的作用88
5.1.6離子鍍膜層形成的影響因素92
5.1.7直流二極型離子鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)94
5.2輝光放電離子鍍膜技術(shù)的發(fā)展94
5.2.1電子槍蒸發(fā)源直流二極型離子鍍膜技術(shù)95
5.2.2活性反應(yīng)離子鍍膜技術(shù)96
5.2.3熱陰極離子鍍膜技術(shù)97
5.2.4射頻離子鍍膜技術(shù)98
5.2.5集團(tuán)離子束離子鍍膜技術(shù)98
5.3增強(qiáng)型輝光放電離子鍍膜技術(shù)的共同特點(diǎn)99
參考文獻(xiàn)100
第6章熱弧光放電離子鍍膜技術(shù)101
6.1空心陰極離子鍍膜技術(shù)102
6.1.1空心陰極離子鍍膜機(jī)102
6.1.2空心陰極離子鍍膜的工藝過程102
6.1.3空心陰極離子鍍膜的條件103
6.1.4空心陰極離子鍍膜機(jī)的發(fā)展104
6.2熱絲弧離子鍍膜技術(shù)105
6.2.1熱絲弧離子鍍膜機(jī)105
6.2.2熱絲弧離子鍍膜的工藝過程106
6.3熱弧光放電離子鍍膜的技術(shù)特點(diǎn)107
6.4輝光放電離子鍍膜與熱弧光放電離子鍍膜對(duì)比109
6.4.1電子槍對(duì)比109
6.4.2鍍膜技術(shù)特點(diǎn)對(duì)比109
參考文獻(xiàn)110
第7章陰極電弧離子鍍膜技術(shù)111
7.1陰極電弧源112
7.2小弧源離子鍍膜技術(shù)112
7.2.1小弧源離子鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)112
7.2.2小弧源離子鍍膜的工藝過程114
7.3陰極電弧離子鍍膜的機(jī)理114
7.4陰極電弧離子鍍膜技術(shù)的發(fā)展116
7.4.1小弧源離子鍍膜機(jī)的發(fā)展116
7.4.2矩形平面大弧源離子鍍膜機(jī)120
7.4.3柱狀陰極電弧源離子鍍膜機(jī)121
7.5對(duì)陰極電弧離子鍍膜機(jī)配置的特殊要求128
7.5.1引弧裝置的設(shè)置128
7.5.2磁場的設(shè)置128
7.5.3屏蔽結(jié)構(gòu)的設(shè)置128
7.6陰極電弧離子鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)129
7.7清洗技術(shù)的發(fā)展130
7.7.1鈦離子清洗工件的不足130
7.7.2弧光放電氬離子清洗技術(shù)131
7.7.3氣態(tài)源弧光放電氬離子清洗技術(shù)131
7.7.4固態(tài)源弧光放電氬離子清洗技術(shù)132
7.8陰極電弧離子鍍中脈沖偏壓電源的作用134
參考文獻(xiàn)137
第8章磁控濺射鍍膜技術(shù)139
8.1磁控濺射鍍膜的設(shè)備與工藝過程140
8.1.1平面靶磁控濺射鍍膜機(jī)140
8.1.2磁控濺射鍍膜的工藝過程140
8.2陰極濺射和磁控濺射142
8.2.1陰極濺射142
8.2.2磁控濺射144
8.3磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)147
8.3.1磁控濺射鍍膜技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)147
8.3.2磁控濺射鍍膜技術(shù)的不足148
8.4磁控濺射離子鍍膜技術(shù)的發(fā)展149
8.4.1柱狀磁控濺射靶149
8.4.2平衡磁控濺射靶與非平衡磁控濺射靶151
8.4.3磁控濺射鍍介質(zhì)薄膜技術(shù)的進(jìn)步156
8.4.4熱陰極增強(qiáng)磁控濺射162
8.4.5高功率脈沖磁控濺射162
8.5磁控濺射工件清洗新技術(shù)165
8.5.1ABS源165
8.5.2弧光放電氬離子清洗工件166
8.5.3用弧光放電源增強(qiáng)磁控濺射鍍膜166
參考文獻(xiàn)167
第9章帶電粒子流在鍍膜中的作用169
9.1帶電粒子流的類型169
9.2離子束169
9.2.1離子束的能量及作用169
9.2.2離子注入170
9.2.3離子束濺射鍍膜和離子束刻蝕173
9.2.4離子束輔助沉積及低能離子源174
9.3弧光電子流180
9.3.1弧光電子流的特點(diǎn)與產(chǎn)生方法180
9.3.2弧光電子流的應(yīng)用180
參考文獻(xiàn)182
第10章等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)183
10.1氣態(tài)物質(zhì)源鍍膜技術(shù)分類183
10.2化學(xué)氣相沉積技術(shù)184
10.2.1熱化學(xué)氣相沉積技術(shù)184
10.2.2金屬有機(jī)化合物氣相沉積技術(shù)188
10.2.3原子層沉積技術(shù)190
10.3等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)192
10.3.1等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)類型192
10.3.2直流輝光放電增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)193
10.4等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積原理196
10.4.1多原子氣體的熱運(yùn)動(dòng)196
10.4.2多原子氣體的激發(fā)和電離198
10.4.3等離子體中固體表面的反應(yīng)200
10.4.4等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)200
10.5各種新型等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)201
10.5.1直流磁控電子回旋PECVD技術(shù)202
10.5.2網(wǎng)籠等離子體浸沒離子沉積技術(shù)202
10.5.3電磁增強(qiáng)型卷繞鍍膜機(jī)203
10.5.4射頻增強(qiáng)等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)205
10.5.5微波增強(qiáng)等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)206
10.5.6電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)208
10.5.7熱絲弧弧光增強(qiáng)等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)208
10.5.8直流等離子體噴射電弧增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)208
參考文獻(xiàn)211
第11章等離子體聚合技術(shù)214
11.1概述214
11.1.1等離子體聚合的定義與特點(diǎn)214
11.1.2各種等離子體聚合技術(shù)簡介217
11.2等離子體聚合原理218
11.2.1等離子體中的激勵(lì)活化反應(yīng)218
11.2.2等離子體聚合反應(yīng)221
11.3等離子體聚合裝置及工藝222
11.3.1等離子體聚合裝置222
11.3.2等離子體聚合工藝226
11.3.3等離子體聚合工藝條件的選擇和控制227
11.4等離子體聚合膜的應(yīng)用領(lǐng)域230
11.4.1等離子體直接聚合膜的應(yīng)用領(lǐng)域230
11.4.2等離子體引發(fā)聚合薄膜的應(yīng)用領(lǐng)域233
11.5等離子體表面改性234
11.5.1等離子體表面改性的定義234
11.5.2等離子體表面改性的特點(diǎn)234
11.5.3等離子體表面改性用的氣體235
11.5.4等離子體表面改性的應(yīng)用領(lǐng)域235
參考文獻(xiàn)236
第12章離子鍍膜在太陽能利用領(lǐng)域的應(yīng)用238
12.1概述238
12.2太陽能光伏薄膜領(lǐng)域的鍍膜技術(shù)239
12.2.1晶硅太陽能電池中的鍍膜技術(shù)240
12.2.2異質(zhì)結(jié)太陽能電池中的鍍膜技術(shù)242
12.2.3晶硅太陽能電池鍍膜技術(shù)的發(fā)展244
12.2.4碲化鎘、銅銦鎵硒和鈣鈦礦太陽能電池中的鍍膜技術(shù)245
12.3太陽能光熱領(lǐng)域的鍍膜技術(shù)248
12.3.1光熱薄膜材料249
12.3.2低溫光熱薄膜250
12.3.3中溫光熱薄膜250
12.3.4高溫光熱薄膜250
12.4展望251
參考文獻(xiàn)251
第13章離子鍍膜在信息顯示
薄膜領(lǐng)域的應(yīng)用253
13.1信息顯示技術(shù)的發(fā)展253
13.2現(xiàn)代信息顯示原理254
13.3信息顯示器件與信息顯示薄膜255
13.3.1薄膜晶體管255
13.3.2有機(jī)發(fā)光二極管256
13.3.3信息顯示薄膜與離子鍍膜技術(shù)256
13.4信息顯示薄膜的制備257
13.4.1有源層薄膜257
13.4.2OLED發(fā)光功能層薄膜260
13.4.3導(dǎo)電電極薄膜261
13.4.4絕緣層薄膜264
13.5信息顯示薄膜器件的制備265
13.6展望268
參考文獻(xiàn)268
第14章離子鍍膜在裝飾性薄膜領(lǐng)域的應(yīng)用271
14.1概述271
14.2裝飾性薄膜的顏色272
14.3裝飾性薄膜的性能要求273
14.4裝飾性薄膜材料的選擇與優(yōu)化275
14.4.1金色系裝飾性薄膜275
14.4.2黑色系裝飾性薄膜277
14.4.3銀色系裝飾性薄膜279
14.4.4干涉裝飾性薄膜279
14.5裝飾性薄膜的發(fā)展趨勢(shì)280
14.5.1鮮艷的顏色280
14.5.2優(yōu)異的耐蝕性281
14.5.3更高的力學(xué)性能281
參考文獻(xiàn)282
第15章離子鍍膜在光學(xué)薄膜領(lǐng)域的應(yīng)用284
15.1光學(xué)薄膜的定義與基礎(chǔ)285
15.1.1光學(xué)薄膜的定義285
15.1.2光學(xué)薄膜的理論基礎(chǔ)285
15.1.3減反射光學(xué)薄膜289
15.1.4高反射光學(xué)薄膜290
15.1.5光學(xué)濾光片292
15.2光學(xué)薄膜的應(yīng)用領(lǐng)域293
15.2.1光學(xué)薄膜在鍍膜眼鏡行業(yè)的應(yīng)用293
15.2.2光學(xué)薄膜在儀器設(shè)備上的應(yīng)用294
15.2.3光學(xué)薄膜在手機(jī)產(chǎn)品中的應(yīng)用295
15.2.4光學(xué)薄膜在汽車行業(yè)中的應(yīng)用296
15.2.5光學(xué)薄膜在光通信領(lǐng)域中的應(yīng)用297
15.2.6光學(xué)薄膜在幕墻玻璃中的應(yīng)用297
15.2.7光學(xué)薄膜在生物醫(yī)療領(lǐng)域中的應(yīng)用299
15.2.8光學(xué)薄膜在紅外波段產(chǎn)品中的應(yīng)用299
15.2.9光學(xué)薄膜在投影顯示產(chǎn)品中的應(yīng)用299
15.3光學(xué)薄膜的制備技術(shù)300
15.3.1物理氣相沉積301
15.3.2化學(xué)氣相沉積303
15.3.3原子層沉積303
15.4光學(xué)薄膜的表征304
參考文獻(xiàn)304
第16章離子鍍膜在硬質(zhì)涂層領(lǐng)域的應(yīng)用306
16.1高端加工業(yè)對(duì)涂層刀具的新要求306
16.2硬質(zhì)涂層的類型306
16.2.1普通硬質(zhì)涂層307
16.2.2超硬涂層310
16.3沉積硬質(zhì)涂層的離子鍍膜技術(shù)及其新發(fā)展315
16.3.1沉積硬質(zhì)涂層的常規(guī)技術(shù)315
16.3.2沉積硬質(zhì)涂層技術(shù)的發(fā)展316
參考文獻(xiàn)318
第17章離子鍍膜在碳基薄膜領(lǐng)域的應(yīng)用321
17.1概述321
17.1.1碳基薄膜的類型321
17.1.2碳基薄膜的三元相圖321
17.2碳基薄膜的結(jié)構(gòu)322
17.2.1金剛石薄膜的結(jié)構(gòu)322
17.2.2類金剛石碳基薄膜的結(jié)構(gòu)323
17.2.3類石墨碳基薄膜的結(jié)構(gòu)323
17.2.4類聚合物碳基薄膜的結(jié)構(gòu)324
17.3碳基薄膜的制備技術(shù)與性能324
17.3.1金剛石薄膜的制備技術(shù)與性能324
17.3.2類金剛石碳基薄膜的制備技術(shù)與性能327
17.3.3類石墨碳基薄膜的制備技術(shù)與性能332
17.3.4類聚合物碳基薄膜的制備技術(shù)與性能333
17.4非晶碳基薄膜的應(yīng)用334
17.4.1類金剛石碳基薄膜的應(yīng)用334
17.4.2類石墨碳基薄膜的應(yīng)用337
17.4.3類聚合物碳基薄膜的應(yīng)用338
參考文獻(xiàn)339
第18章離子鍍膜在熱電薄膜領(lǐng)域的應(yīng)用343
18.1熱電技術(shù)及熱電器件343
18.1.1塞貝克效應(yīng)和帕爾貼效應(yīng)343
18.1.2熱電器件345
18.2熱電薄膜材料346
18.2.1超晶格熱電薄膜346
18.2.2柔性熱電薄膜347
18.3熱電薄膜制備中常用的離子鍍膜技術(shù)348
18.3.1分子束外延348
18.3.2磁控濺射349
18.3.3脈沖激光沉積350
18.3.4其他常見熱電薄膜制備技術(shù)351
18.4離子鍍膜技術(shù)在熱電器件中的應(yīng)用351
18.4.1在微型熱電器件研究中的應(yīng)用351
18.4.2在熱電器件電極制備中的應(yīng)用352
18.5展望354
參考文獻(xiàn)354
第19章離子鍍膜在低溫離子化學(xué)熱處理中的應(yīng)用357
19.1概述357
19.1.1離子化學(xué)熱處理357
19.1.2低溫離子化學(xué)熱處理357
19.2低溫離子化學(xué)熱處理工藝358
19.2.1不銹鋼低溫離子化學(xué)熱處理工藝358
19.2.2工模具鋼低溫離子化學(xué)熱處理工藝360
19.3低溫離子化學(xué)熱處理溫度的選擇361
19.3.1常規(guī)離子滲氮溫度361
19.3.2低溫離子化學(xué)熱處理溫度362
19.4低溫離子化學(xué)熱處理新技術(shù)364
19.4.1增設(shè)活性屏技術(shù)364
19.4.2熱絲增強(qiáng)低溫離子滲技術(shù)366
19.4.3弧光放電增強(qiáng)低溫離子滲技術(shù)367
參考文獻(xiàn)370