半導體光物理過程

定　價：￥58.00

作　者：	王卿璞編
出版社：	山東大學出版社
叢編項：	集成電路科學與工程類新工科系列教材
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787560768915	出版時間：	2021-01-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	278	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《半導體光物理過程》一書主要論述了半導體材料與器件中的光學現(xiàn)象與物理過程，重點論述了半導體材料中光的吸收、輻射、復合、激射以及半導體氧化物薄膜光電特性等基本原理以及與光現(xiàn)象相關(guān)的各種效應和應用。全書共計十二章，分別由以下人員編寫完成各章節(jié)：第1章半導體的能帶結(jié)構(gòu)和電子能量狀態(tài)（王卿璞）；第2章半導體的光吸收（王卿璞）；第3章半導體的光學常數(shù)（王漢斌）；第4章半導體的外場效應（王漢斌）；第5章半導體中的光發(fā)射（王卿璞）；第6章半導體的輻射與非輻射復合（王卿璞）；第7章氧化物薄膜半導體特性（王卿璞、辛倩、張錫?。?；第8章PN結(jié)中的光電過程（王卿璞）；第9章半導體光生伏特效應（馮先進、許萌）；第10章半導體的自發(fā)輻射和受激輻射（徐明升）；第11章半導體激光器（徐明升）；第12章半導體太赫茲技術(shù)與應用（王卿璞、張翼飛、胡慧寧）。本書內(nèi)容豐富，概念清晰，完整性和系統(tǒng)性比較強，適合從事半導體材料與器件、光電子技術(shù)、固體光學、微電子與集成電路、半導體激光器等相關(guān)專業(yè)的研究人員，以及大專院校和科研機構(gòu)相關(guān)專業(yè)的本科生、研究生閱讀參考。

作者簡介

暫缺《半導體光物理過程》作者簡介

圖書目錄

第1章半導體的能帶結(jié)構(gòu)和電子能量狀態(tài)
1.1 能帶結(jié)構(gòu)
1.2 能量在動量空間的分布
1.3 晶體波函數(shù)與能帶分析
1.4 費米能級與能量色散
1.5 導體、半導體、絕緣體
1.6 半導體載流子濃度
1.7 半導體中的雜質(zhì)能態(tài)
1.8 帶尾態(tài)
1.9 激子
1.10 半導體合金中的能態(tài)
第2章半導體的光吸收
2.1 本征吸收
2.2 非本征吸收
2.3 光吸收中的躍遷
第3章半導體的光學常數(shù)
3.1 麥克斯韋方程組與波動方程
3.2 反射系數(shù)、透射系數(shù)與折射系數(shù)
3.3 吸收系數(shù)與折射率、消光系數(shù)
3.4 Kramers-Kronig relations簡介
3.5 干涉效應
第4章半導體的外場效應
4.1 壓力效應
4.2 溫度效應
4.3 電場效應
4.4 磁場效應
4.5 霍爾效應
4.6 磁阻效應
4.7 熱磁效應
第5章半導體中的光發(fā)射
5.1 光發(fā)射的速率
5.2 Van Roosbroeck-Shockley關(guān)系
5.3 輻射復合幾率與壽命
5.4 輻射效率
5.5 光發(fā)射形式
第6章半導體的輻射與非輻射復合
6.1 輻射復合
6.2 非輻射復合過程
第7章氧化物薄膜半導體特性
7.1 氧化鋅（ZnO）薄膜的特性
7.2 氧化鎵（Ga2O2）薄膜的特性
7.3 氧化物摻雜合金薄膜的特性
第8章 PN結(jié)中的光電過程
8.1 PN結(jié)的性質(zhì)
8.2 PN結(jié)正向偏壓與效應
8.3 半導體異質(zhì)結(jié)
8.4 PN結(jié)的反向偏壓與擊穿
第9章半導體光生伏特效應
9.1 PN結(jié)的光生伏特效應
9.2 肖特基勢壘的光生伏特效應
9.3 體光生伏特效應
9.4 反常光生伏特效應
9.5 其他光生伏特效應
9.6 太陽能電池的發(fā)展趨勢
第10章半導體的自發(fā)輻射和受激輻射
10.1 半導體的自發(fā)輻射
10.2 半導體的受激輻射
10.3 半導體受激光輻射的條件
第11章半導體激光器
11.1 半導體激光器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
11.2 半導體激光器的光電特性
11.3 半導體異質(zhì)結(jié)激光器的分類及特性
11.4 半導體激光器的制備工藝
第12章半導體太赫茲技術(shù)與應用
12.1 太赫茲概述
12.2 太赫茲發(fā)射器
12.3 太赫茲的探測方法
12.4 太赫茲應用
參考文獻