半導體光物理過程

第1章 半導體的能帶結(jié)構(gòu)和電子能量狀態(tài)
1.1 能帶結(jié)構(gòu)
1.2 能量在動量空間的分布
1.3 晶體波函數(shù)與能帶分析
1.4 費米能級與能量色散
1.5 導體、半導體、絕緣體
1.6 半導體載流子濃度
1.7 半導體中的雜質(zhì)能態(tài)
1.8 帶尾態(tài)
1.9 激子
1.10 半導體合金中的能態(tài)
第2章 半導體的光吸收
2.1 本征吸收
2.2 非本征吸收
2.3 光吸收中的躍遷
第3章 半導體的光學常數(shù)
3.1 麥克斯韋方程組與波動方程
3.2 反射系數(shù)、透射系數(shù)與折射系數(shù)
3.3 吸收系數(shù)與折射率、消光系數(shù)
3.4 Kramers-Kronig relations簡介
3.5 干涉效應
第4章 半導體的外場效應
4.1 壓力效應
4.2 溫度效應
4.3 電場效應
4.4 磁場效應
4.5 霍爾效應
4.6 磁阻效應
4.7 熱磁效應
第5章 半導體中的光發(fā)射
5.1 光發(fā)射的速率
5.2 Van Roosbroeck-Shockley關系
5.3 輻射復合幾率與壽命
5.4 輻射效率
5.5 光發(fā)射形式
第6章 半導體的輻射與非輻射復合
6.1 輻射復合
6.2 非輻射復合過程
第7章 氧化物薄膜半導體特性
7.1 氧化鋅（ZnO）薄膜的特性
7.2 氧化鎵（Ga2O2）薄膜的特性
7.3 氧化物摻雜合金薄膜的特性
第8章 PN結(jié)中的光電過程
8.1 PN結(jié)的性質(zhì)
8.2 PN結(jié)正向偏壓與效應
8.3 半導體異質(zhì)結(jié)
8.4 PN結(jié)的反向偏壓與擊穿
第9章 半導體光生伏特效應
9.1 PN結(jié)的光生伏特效應
9.2 肖特基勢壘的光生伏特效應
9.3 體光生伏特效應
9.4 反常光生伏特效應
9.5 其他光生伏特效應
9.6 太陽能電池的發(fā)展趨勢
第10章 半導體的自發(fā)輻射和受激輻射
10.1 半導體的自發(fā)輻射
10.2 半導體的受激輻射
10.3 半導體受激光輻射的條件
第11章 半導體激光器
11.1 半導體激光器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
11.2 半導體激光器的光電特性
11.3 半導體異質(zhì)結(jié)激光器的分類及特性
11.4 半導體激光器的制備工藝
第12章 半導體太赫茲技術與應用
12.1 太赫茲概述
12.2 太赫茲發(fā)射器
12.3 太赫茲的探測方法
12.4 太赫茲應用
參考文獻