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內(nèi)容簡介

　　微米量級的發(fā)光物體填充像素單元并呈矩陣分布的主動發(fā)光顯示技術(shù)，歷史悠久，發(fā)展?jié)摿薮蟆１緯诮Y(jié)合產(chǎn)學(xué)研多年科研成果和工程實踐的基礎(chǔ)上，系統(tǒng)地介紹了主動發(fā)光顯示技術(shù)的基本原理、實現(xiàn)技術(shù)，以及存在的問題與對策。全書共9章：第1章概述真空陰極射線發(fā)光、光致發(fā)光和電致發(fā)光的發(fā)光原理和相應(yīng)的顯示技術(shù)，第2章和第3章分別介紹屬于真空陰極射線發(fā)光的真空熒光顯示（VFD）技術(shù)和場發(fā)射顯示（FED）技術(shù)，第4章介紹屬于光致發(fā)光的等離子體顯示（PDP）技術(shù)，第5章介紹屬于本征型電致發(fā)光的電致發(fā)光顯示（ELD）技術(shù)，第6章至第9章分別介紹屬于注入式電致發(fā)光的發(fā)光二極管（LED）顯示技術(shù)、有機發(fā)光二極管（OLED）顯示技術(shù)、微型發(fā)光二極管（Micro LED）顯示技術(shù)和量子點發(fā)光二極管（QLED）顯示技術(shù)。本書可作為高校、科研單位、企業(yè)、政府等機構(gòu)相關(guān)人員理解、應(yīng)用和發(fā)展新型顯示技術(shù)的重要參考資料。

作者簡介

　　馬群剛，浙江東陽人，理學(xué)博士，正高級工程師，工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)委員會委員，長期從事集成電路與新型顯示領(lǐng)域的科技工作，在新型顯示方向有兩年海外學(xué)習(xí)經(jīng)歷。主持和參與完成國家科研項目10余項，發(fā)表學(xué)術(shù)論文30余篇，申請發(fā)明專利70余件，主編國之重器出版工程“新型顯示技術(shù)叢書”。王保平，現(xiàn)任東南大學(xué)黨委常委、常務(wù)副校長，電子科學(xué)與工程學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師。江蘇省“333高層次人才培養(yǎng)工程” 首批中青年科技領(lǐng)軍人才；曾擔(dān)任科技部863計劃顯示技術(shù)重大專項專家組副組長、總裝備部光電子技術(shù)專業(yè)組專家、工業(yè)和信息化部平板顯示技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)工作組組長、工業(yè)和信息化部電子科技委委員、教育部科技委委員；曾擔(dān)任國際信息顯示學(xué)會副會長、國際電工委員會電子顯示技術(shù)委員會（IEC TC110）主席、國際信息顯示學(xué)會（SID）會士（fellow）。主持完成了國家“九五”科技攻關(guān)項目1項、國家863計劃項目5項、總裝備部973項目2項和江蘇省科技攻關(guān)項目1項、國家重點研發(fā)計劃項目1項，獲江蘇省科技進(jìn)步一等獎2項。

圖書目錄

目錄
第 1章緒論 001
1．1 主動發(fā)光顯示原理 001
1．1．1 發(fā)光的基本原理 001
1．1．2 發(fā)光與主動發(fā)光顯示 005
1．2 真空陰極射線發(fā)光與顯示 007
1．2．1 真空陰極射線發(fā)光原理 007
1．2．2 基于真空陰極射線發(fā)光的顯示技術(shù) 009
1．3 光致發(fā)光與顯示 013
1．3．1 光致發(fā)光原理 013
1．3．2 基于光致發(fā)光的顯示技術(shù) 015
1．4 電致發(fā)光與顯示 017
1．4．1 無機電致發(fā)光原理 018
1．4．2 有機電致發(fā)光原理 022
1．4．3 注入式電致發(fā)光與顯示 027
1．4．4 本征型電致發(fā)光與顯示 032
本章參考文獻(xiàn) 034
第 2章 VFD顯示技術(shù) 039
2．1 彩色VFD顯示基礎(chǔ) 039
2．1．1 VFD基本結(jié)構(gòu)和功能 039
2．1．2 VFD基本類型和應(yīng)用 043
2．1．3 彩色VFD顯示技術(shù) 046
2．2 VFD設(shè)計技術(shù) 049
2．2．1 工作電極的設(shè)計技術(shù) 049
2．2．2 驅(qū)動電路的設(shè)計技術(shù) 053
2．2．3 VFD品質(zhì)管控與設(shè)計 056
2．3 新型VFD顯示技術(shù) 058
2．3．1 驅(qū)動內(nèi)置VFD顯示技術(shù) 058
2．3．2 立體VFD顯示技術(shù) 063
本章參考文獻(xiàn) 065
第3章 FED顯示技術(shù) 067
3．1 FED顯示基礎(chǔ) 067
3．1．1 FED基本結(jié)構(gòu)與功能 067
3．1．2 場致電子發(fā)射原理 070
3．2 Spindt FED顯示技術(shù) 074
3．2．1 Spindt FED顯示原理 074
3．2．2 Spindt FED的場發(fā)射原理 077
3．2．3 Spindt FED制造技術(shù) 079
3．2．4 Spindt FED產(chǎn)品技術(shù) 083
3．3 新型FED顯示技術(shù) 084
3．3．1 DLC FED顯示技術(shù) 085
3．3．2 CNT FED顯示技術(shù) 088
3．3．3 FAHED顯示技術(shù) 091
3．3．4 BSD顯示技術(shù) 096
3．3．5 SED顯示技術(shù) 102
本章參考文獻(xiàn) 106
第4章 PDP顯示技術(shù) 110
4．1 PDP發(fā)光原理 110
4．1．1 PDP的電光特性 110
4．1．2 DC-PDP顯示原理 115
4．1．3 AC-PDP顯示原理 119
4．1．4 PDP結(jié)構(gòu)的改進(jìn) 124
4．2 PDP工藝技術(shù) 126
4．2．1 PDP主要部件與工藝流程 126
4．2．2 前基板的制作工藝 129
4．2．3 后基板的制作工藝 133
4．2．4 總裝工藝 136
4．3 PDP驅(qū)動技術(shù) 137
4．3．1 PDP驅(qū)動電路 137
4．3．2 PDP能量恢復(fù)電路 140
4．3．3 PDP灰階顯示與動態(tài)輪廓 144
4．3．4 尋址型多灰階驅(qū)動方法 148
4．3．5 表面交替發(fā)光多灰階驅(qū)動法 154
4．3．6 降低動態(tài)偽輪廓的驅(qū)動法 158
4．4 PDP發(fā)光效率提升技術(shù) 164
4．4．1 PDP顯示的發(fā)光效率 165
4．4．2 PDP像素障壁結(jié)構(gòu)的改進(jìn) 168
4．4．3 PDP電極結(jié)構(gòu)的改進(jìn) 173
4．4．4 PDP材料改進(jìn)技術(shù) 176
4．4．5 PDP驅(qū)動改進(jìn)技術(shù) 180
本章參考文獻(xiàn) 181
第5章 ELD顯示技術(shù) 190
5．1 ELD顯示共性技術(shù) 190
5．1．1 發(fā)光中心特性 190
5．1．2 基質(zhì)材料 191
5．1．3 電介質(zhì)材料 194
5．2 PELD顯示技術(shù) 195
5．2．1 AC-PELD顯示技術(shù) 195
5．2．2 DC-PELD顯示技術(shù) 198
5．2．3 DC-PELD的交流特性 202
5．3 TFELD顯示技術(shù) 204
5．3．1 TFELD器件特性 204
5．3．2 TFELD電光特性 207
5．4 TDELD顯示技術(shù) 211
5．4．1 TDELD工作原理 211
5．4．2 TDELD彩色顯示技術(shù) 214
5．4．3 藍(lán)色熒光粉技術(shù) 218
5．4．4 TDELD工藝技術(shù) 221
本章參考文獻(xiàn) 223
第6章 LED顯示技術(shù) 226
6．1 LED發(fā)光原理與特性 226
6．1．1 LED發(fā)光原理 226
6．1．2 LED電學(xué)特性 232
6．1．3 LED光學(xué)特性 236
6．1．4 LED熱學(xué)特性 241
6．2 LED光源技術(shù) 246
6．2．1 LED芯片的制造與封裝 246
6．2．2 白光LED技術(shù) 250
6．2．3 側(cè)光式LED背光源技術(shù) 256
6．2．4 直下式LED背光源技術(shù) 257
6．3 LED顯示技術(shù) 261
6．3．1 LED顯示系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及組成 261
6．3．2 LED顯示屏分類 263
6．3．3 LED顯示屏關(guān)鍵光電參數(shù) 266
6．3．4 LED顯示屏關(guān)鍵技術(shù) 273
6．4 LED驅(qū)動技術(shù) 277
6．4．1 直流驅(qū)動技術(shù) 278
6．4．2 脈沖驅(qū)動和脈沖寬度調(diào)制技術(shù) 281
6．4．3 LED級聯(lián)設(shè)計 288
6．5 LED顯示圖像質(zhì)量及均勻度控制技術(shù) 290
6．5．1 影響LED圖像質(zhì)量的顯示控制因素 290
6．5．2 影響LED顯示均勻度的主要因素 299
6．5．3 LED顯示均勻性控制精度 302
6．6 LED發(fā)光效率 309
6．6．1 LED發(fā)光效率與壽命 309
6．6．2 提升發(fā)光效率的芯片技術(shù) 313
6．6．3 提升發(fā)光效率的工藝技術(shù) 316
6．6．4 提升發(fā)光效率的材料技術(shù) 318
本章參考文獻(xiàn) 320
第7章 OLED顯示技術(shù) 327
7．1 OLED發(fā)光原理與構(gòu)造 327
7．1．1 OLED器件結(jié)構(gòu) 327
7．1．2 OLED發(fā)光機理 332
7．1．3 OLED材料技術(shù) 335
7．2 OLED工藝技術(shù) 342
7．2．1 OLED工藝技術(shù)概述 342
7．2．2 清洗和預(yù)處理技術(shù) 344
7．2．3 真空成膜關(guān)鍵技術(shù) 346
7．2．4 封裝技術(shù) 349
7．3 PLED顯示技術(shù) 353
7．3．1 PLED器件結(jié)構(gòu) 353
7．3．2 PLED工作原理 354
7．3．3 PLED材料技術(shù) 357
7．3．4 PLED工藝技術(shù) 361
7．4 OLED驅(qū)動技術(shù) 365
7．4．1 OLED驅(qū)動技術(shù)概述 365
7．4．2 PMOLED驅(qū)動技術(shù) 367
7．4．3 AMOLED驅(qū)動概述 371
7．4．4 電壓編程方式補償像素電路 373
7．4．5 電流編程方式補償像素電路 376
7．4．6 電壓控制型和電流控制型的比較 379
7．5 OLED顯示技術(shù)的發(fā)展 381
7．5．1 OLED顯示技術(shù)的優(yōu)勢 382
7．5．2 OLED的挑戰(zhàn)與發(fā)展 385
7．5．3 OLED彩色化方案 388
7．5．4 OLED顯示的精細(xì)化與大型化 390
本章參考文獻(xiàn) 394
第8章 Micro-LED顯示技術(shù) 403
8．1 Micro-LED的基本技術(shù)特征 403
8．1．1 Micro-LED技術(shù)簡介 403
8．1．2 Micro-LED的襯底和外延技術(shù) 405
8．2 無源矩陣Micro-LED陣列 409
8．2．1 無源矩陣Micro-LED陣列制備工藝 409
8．2．2 無源矩陣Micro-LED陣列器件性能 412
8．3 集成于硅基CMOS襯底的有源矩陣Micro-LED陣列 415
8．3．1 有源矩陣Micro-LED器件結(jié)構(gòu)與制備工藝 415
8．3．2 Micro-LED晶圓級整體綁定技術(shù)與工藝 420
8．4 集成于TFT基板的有源矩陣Micro-LED陣列 424
8．4．1 GaN Micro-LED的制備及其與柔性像素電路的集成 424
8．4．2 有源矩陣Micro-LED器件性能 427
8．4．3 Micro-LED陣列的巨量轉(zhuǎn)移與修復(fù)技術(shù) 430
8．5 Micro-LED彩色顯示 431
8．5．1 紅、綠、藍(lán)三色LED組合實現(xiàn)彩色顯示 432
8．5．2 采用色彩轉(zhuǎn)換的Micro-LED全彩色顯示 435
本章參考文獻(xiàn) 440
第9章 QLED顯示技術(shù) 446
9．1 量子點材料技術(shù)基礎(chǔ) 446
9．1．1 量子點材料的基本效應(yīng) 447
9．1．2 量子點發(fā)展歷程 449
9．2 基本發(fā)光原理與發(fā)光特性 450
9．2．1 量子點的光致發(fā)光原理 451
9．2．2 量子點的發(fā)光特性 452
9．3 量子點制造技術(shù) 455
9．3．1 量子點合成技術(shù) 455
9．3．2 量子點表面工程 458
9．3．3 量子點結(jié)構(gòu) 463
9．3．4 量子點類型 464
9．4 QLED器件的制備技術(shù) 468
9．4．1 QLED器件發(fā)展歷史 468
9．4．2 QLED結(jié)構(gòu)分類 472
9．4．3 電荷傳輸層（CTL） 474
9．4．4 電驅(qū)動QLED技術(shù) 476
9．4．5 限制QLED效率的主要因素 479
9．4．6 QLED器件壽命 484
9．4．7 鎘型QLED顯示技術(shù) 485
9．4．8 無鎘型QLED顯示技術(shù) 489
本章參考文獻(xiàn) 493