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內(nèi)容簡介

　　本書為“中國芯片制造系列”的第二本，是一本系統(tǒng)地闡述碳化硅半導(dǎo)體材料生長和加工工藝的專著，填補了國內(nèi)該領(lǐng)域書籍對于近期碳化硅制造工藝新技術(shù)及進展介紹的空白。本書較為全面地闡述了不同晶型的碳化硅從長晶、襯底制造、外延制造全流程的生產(chǎn)技術(shù)，展現(xiàn)了國內(nèi)外碳化硅制造領(lǐng)域近期的發(fā)展成果，論述了碳化硅材料的熱力學(xué)性質(zhì)、生長原理、晶體摻雜和缺陷控制等相關(guān)基礎(chǔ)理論，以及生長數(shù)據(jù)建模、測試表征等各方面知識，介紹了碳化硅上的氮化鎵生長、碳化硅材料加工與封裝關(guān)鍵工藝和碳化硅器件在各個領(lǐng)域的應(yīng)用、前景及發(fā)展趨勢等知識，是讀者全面了解第三代半導(dǎo)體器件與系統(tǒng)的重要參考。

作者簡介

　　姚玉，博士畢業(yè)于加拿大不列顛哥倫比亞大學(xué)，多年來專注于半導(dǎo)體先進封裝制程材料、工藝及理論的研究，對于半導(dǎo)體先進封裝中運用的多種關(guān)鍵的鍍層材料以及制程的工藝整合及芯片制造、管理有著豐富的經(jīng)驗。參與主編《芯片先進封裝制造》一書，是近年來第一本芯片領(lǐng)域系統(tǒng)性講述新先進封裝制造工藝的專業(yè)圖書。洪華，東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、國家示范性微電子學(xué)院、MEMS教育部重點實驗室助理教授。曾入選2020年江蘇省“雙創(chuàng)計劃”，2013、2015年兩次入選美國能源部普林斯頓CEFRC學(xué)者，2015年被選為美國國家科學(xué)基金REU項目導(dǎo)師，2020年入選東南大學(xué)紫金學(xué)者。

圖書目錄

序言（張汝京）
前言
1 概述
1．1 碳化硅的歷史和性質(zhì)
1．2 碳化硅的應(yīng)用及材料要求
1．3 碳化硅材料在應(yīng)用中的注意事項
1．3．1 電子器件
1．3．2 微機電系統(tǒng)
1．4 碳化硅的主要生長方法
1．4．1 籽晶升華生長
1．4．2 高溫化學(xué)氣相沉積
1．4．3 鹵化物化學(xué)氣相沉積
1．4．4 改良版的物理氣相傳輸
1．4．5 連續(xù)進料物理氣相傳輸
1．4．6 頂部籽晶液相生長
1．4．7 碳化硅外延層技術(shù)的發(fā)展
1．5 新潁趨勢和未來發(fā)展
2 碳化硅材料生長的基本原理
2．1 碳化硅晶型
2．2 表征技術(shù)
2．2．1 生長過程可視化
2．2．2 晶體表征
2．3 物理氣相傳輸
2．3．1 簡介及熱力學(xué)性質(zhì)
2．3．2 生長過程控制
2．3．3 碳化硅原料制備
2．3．4 碳化硅籽晶及其安裝
2．3．5 晶體形狀控制
2．3．6 晶體應(yīng)力控制
2．3．7 氣相組成對晶體的影響
2．3．8 保證晶型穩(wěn)定生長的方法
2．3．9 摻雜
2．3．1 0終止生長過程
2．3．1 1通過生長參數(shù)定制晶體特性
2．4 高溫化學(xué)氣相沉積
2．4．1 化學(xué)氣相沉積簡介
2．4．2 高溫化學(xué)氣相沉積簡介
2．4．3 實驗裝置
2．4．4 提高生長速率的措施
2．4．5 晶體質(zhì)量與生長條件分析
2．4．6 氮摻雜效率
2．5 液相生長
2．6 缺陷
2．6．1 缺陷種類
2．6．2 缺陷的產(chǎn)生、演化以及減少
2．7 摻雜
2．7．1 摻雜問題
2．7．2 摻雜對基矢面位錯演化的影響
2．7．3 摻雜對晶格硬度變化的影響
2．7．4 摻雜對費米能級的影響
……
3 碳化硅外延薄膜生長
4 多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉積
5 碳化硅襯底上的氮化鎵生長
6 碳化硅加工工藝
7 碳化硅封裝工藝
8 碳化硅應(yīng)用前景及發(fā)展趨勢
9 結(jié)語
參考文獻
附錄本書主要名詞英漢對照表