CMOS芯片結構與制造技術

第1章 LSI/VLSI制造基本技術
1.1 基礎工藝技術
1.1.1 基礎工藝技術
1.1.2 工藝制程
1.1.3 工藝一體化
1.2 器件隔離技術
1.2.1 LOCOS隔離
1.2.2 淺槽隔離
1.2.3 PN結隔離
1.3 襯底與阱技術
1.3.1 CMOS工藝與阱的形成
1.3.2 可靠性與阱技術
1.3.3 外延與SOI襯底
1.4 柵與源、漏結的形成技術
1.4.1 柵工藝
1.4.2 源、漏結構的形成
1.4.3 漏極技術
1.5 接觸的形成與多層布線技術
1.5.1 接觸的形成
1.5.2 金屬化系統(tǒng)
1.5.3 多層布線工藝與平坦化技術
1.6 BiCMOS技術
1.7 LV/HV兼容技術
1.7.1 LV/HV兼容CMOS
1.7.2 LV/HV兼容BiCMOS
1.7.3 LV/HV兼容BCD
1.8 MOS集成電路工藝設計
1.8.1 硅襯底參數(shù)設計
1.8.2 柵介質材料
1.8.3 柵電極材料
1.8.4 閾值電壓設計
1.8.5 工藝參數(shù)設計
1.9 MOS集成電路設計與制造技術關系
1.9.1 芯片結構及其參數(shù)
1.9.2 芯片結構技術
1.9.3 芯片制造
第2章 單阱CMOS芯片與制程剖面結構
2.1 P-Well CMOS（A）
2.1.1 芯片平面/剖面結構
2.1.2 工藝技術
2.1.3 工藝制程
2.2 P-Well CMOS（B）
2.2.1 芯片剖面結構
2.2.2 工藝技術
2.2.3 工藝制程
2.3 P-Well CMOS（C）
2.3.1 芯片剖面結構
2.3.2 工藝技術
2.3.3 工藝制程
2.4 HV P-Well CMOS
2.4.1 芯片剖面結構
2.4.2 工藝技術
2.4.3 工藝制程
2.5 N-Well CMOS（A）
2.5.1 芯片平面/剖面結構
2.5.2 工藝技術
2.5.3 工藝制程
2.6 N-Well CMOS（B）
2.6.1 芯片剖面結構
2.6.2 工藝技術
2.6.3 工藝制程
2.7 N-Well CMOS（C）
2.7.1 芯片剖面結構
2.7.2 工藝技術
2.7.3 工藝制程
2.8 HV N-Well CMOS
2.8.1 芯片剖面結構
2.8.2 工藝技術
2.8.3 工藝制程
第3章 雙阱CMOS芯片與制程剖面結構
第4章 LV/HV兼容CMOS芯片與制程剖面結構
第5章 BiCMOS芯片與制程剖面結構
第6章 LV/HV兼容BiCMOS芯片與制程剖面結構
第7章 LV/HV兼容BCD芯片與制程剖面結構
附錄A 術語縮寫對照
附錄B 簡要說明
參考文獻