CMOS芯片結(jié)構(gòu)與制造技術(shù)

第1章 LSI/VLSI制造基本技術(shù)
1.1 基礎(chǔ)工藝技術(shù)
1.1.1 基礎(chǔ)工藝技術(shù)
1.1.2 工藝制程
1.1.3 工藝一體化
1.2 器件隔離技術(shù)
1.2.1 LOCOS隔離
1.2.2 淺槽隔離
1.2.3 PN結(jié)隔離
1.3 襯底與阱技術(shù)
1.3.1 CMOS工藝與阱的形成
1.3.2 可靠性與阱技術(shù)
1.3.3 外延與SOI襯底
1.4 柵與源、漏結(jié)的形成技術(shù)
1.4.1 柵工藝
1.4.2 源、漏結(jié)構(gòu)的形成
1.4.3 漏極技術(shù)
1.5 接觸的形成與多層布線技術(shù)
1.5.1 接觸的形成
1.5.2 金屬化系統(tǒng)
1.5.3 多層布線工藝與平坦化技術(shù)
1.6 BiCMOS技術(shù)
1.7 LV/HV兼容技術(shù)
1.7.1 LV/HV兼容CMOS
1.7.2 LV/HV兼容BiCMOS
1.7.3 LV/HV兼容BCD
1.8 MOS集成電路工藝設(shè)計
1.8.1 硅襯底參數(shù)設(shè)計
1.8.2 柵介質(zhì)材料
1.8.3 柵電極材料
1.8.4 閾值電壓設(shè)計
1.8.5 工藝參數(shù)設(shè)計
1.9 MOS集成電路設(shè)計與制造技術(shù)關(guān)系
1.9.1 芯片結(jié)構(gòu)及其參數(shù)
1.9.2 芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)
1.9.3 芯片制造
第2章 單阱CMOS芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)
2.1 P-Well CMOS（A）
2.1.1 芯片平面/剖面結(jié)構(gòu)
2.1.2 工藝技術(shù)
2.1.3 工藝制程
2.2 P-Well CMOS（B）
2.2.1 芯片剖面結(jié)構(gòu)
2.2.2 工藝技術(shù)
2.2.3 工藝制程
2.3 P-Well CMOS（C）
2.3.1 芯片剖面結(jié)構(gòu)
2.3.2 工藝技術(shù)
2.3.3 工藝制程
2.4 HV P-Well CMOS
2.4.1 芯片剖面結(jié)構(gòu)
2.4.2 工藝技術(shù)
2.4.3 工藝制程
2.5 N-Well CMOS（A）
2.5.1 芯片平面/剖面結(jié)構(gòu)
2.5.2 工藝技術(shù)
2.5.3 工藝制程
2.6 N-Well CMOS（B）
2.6.1 芯片剖面結(jié)構(gòu)
2.6.2 工藝技術(shù)
2.6.3 工藝制程
2.7 N-Well CMOS（C）
2.7.1 芯片剖面結(jié)構(gòu)
2.7.2 工藝技術(shù)
2.7.3 工藝制程
2.8 HV N-Well CMOS
2.8.1 芯片剖面結(jié)構(gòu)
2.8.2 工藝技術(shù)
2.8.3 工藝制程
第3章 雙阱CMOS芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)
第4章 LV/HV兼容CMOS芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)
第5章 BiCMOS芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)
第6章 LV/HV兼容BiCMOS芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)
第7章 LV/HV兼容BCD芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)
附錄A 術(shù)語縮寫對照
附錄B 簡要說明
參考文獻