氮化鎵晶體生長技術(shù)

定　價(jià)：￥88.00

作　者：	德克·埃倫特勞特（Dirk Ehrentraut），埃爾克·邁斯納（Elke Meissner），邁克爾·博科夫斯基（Michal Bockowski）　著
出版社：	中國石化出版社有限公司
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787511465214	出版時(shí)間：	2021-12-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	232	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書屬Springer材料科學(xué)系列教材之一，主要內(nèi)容涉及目前蓬勃發(fā)展的高亮度可見光LED及照明工程等相關(guān)領(lǐng)域。包含的內(nèi)容主要有：GaN體材料的應(yīng)用前景、GaN材料的鹵化物氣相外延生長技術(shù)、采用GaN籽晶技術(shù)生長GaN體材料、采用真空輔助技術(shù)生長自支撐GaN襯底、采用鹵化物氣相外延生長技術(shù)生長非極性與半極性GaN、GaN高生長速率的金屬有機(jī)物氣相外延法、熱氨法生長GaN體材料、高/低壓環(huán)境下的GaN生長技術(shù)、Na流量法生在大尺寸GaN技術(shù)簡(jiǎn)介、GaN晶體的表征方法等內(nèi)容。

作者簡(jiǎn)介

　　譯著作者王黨會(huì)，男，生于1976年。大學(xué)本科階段就讀于寶雞文理學(xué)院化學(xué)教育專業(yè)，掌握了扎實(shí)的化學(xué)基礎(chǔ)理論和基礎(chǔ)知識(shí)；碩士研究生階段就讀于西安電子科技大學(xué)技術(shù)物理學(xué)院，專業(yè)為材料科學(xué)與工程專業(yè)、師從杜磊教授，逐步掌握了半導(dǎo)體材料與器件的物理理論、工作原理和一般工藝技術(shù)；博士研究生階段就讀于西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院，師從郝躍院士，專業(yè)為微電子學(xué)與固態(tài)電子學(xué)，研究方向?yàn)镮II族氮化物外延層薄膜的生長與表征；掌握了GaN基高亮度藍(lán)光LED發(fā)光活性區(qū)InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)的MOCVD生長技術(shù)（雙氣流技術(shù)、緩沖層技術(shù)、成核層技術(shù)等）及表征技術(shù)（HRXRD、SEM、AFM、Raman散射及PL等。到目前為止，共發(fā)表學(xué)術(shù)論文14余篇，其中SCI檢索8篇（英文SCI主持檢索6篇、英文EI檢索2篇）；授權(quán)國家發(fā)明專利3項(xiàng)；主持陜西省科技廳、陜西省教育廳自然科學(xué)基礎(chǔ)研究項(xiàng)目各一項(xiàng)；支持西安石油大學(xué)青年科技項(xiàng)目2項(xiàng)，參與項(xiàng)目10余項(xiàng)；參與編寫教材2部，個(gè)人撰寫部分為12.2萬字。

圖書目錄

章 GaN襯底體材料市場(chǎng)的發(fā)展
1.1 引言
1.2 III族氮化物器件的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力和展望
1.3體GaN襯底材料的優(yōu)勢(shì)和重要性
1.4 體GaN襯底上GaN器件的發(fā)展趨勢(shì)
1.5體GaN襯底的發(fā)展趨勢(shì)
1.6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第二章 GaN的氫化物氣相外延生長技術(shù)
2.1 引言
2.2 HVPE法生長GaN的熱力學(xué)分析
2.3 GaAs(100)襯底上的立方GaN生長
2.4 生長在GaAs（111）A和（111）B襯底上GaN性質(zhì)的比較
2.5 GaAs(111)A和(111)B面上生長GaN初始生長過程的Ab Initio計(jì)算
2.6 GaAs(111)A襯底上厚GaN層的生長
2.7 Fe摻雜半絕緣GaN襯底的制備
參考文獻(xiàn)
第三章 HVPE法在GaN單晶上生長體GaN
3.1 引言
3.2 實(shí)驗(yàn)過程
3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
3.4 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第四章利用空洞輔助分離的HVPE生長自支撐GaN晶片
4.1 引言
4.2 HVPE-VAS技術(shù)概要
4.3 多孔TiN薄膜的GaN模板制備
4.4 GaN模板上多孔TiN薄膜的HVPE生長
4.5 HVPE-VAS技術(shù)制備GaN晶片的性能
4.6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第五章非極性/半極性GaN的HVPE生長法
5.1引言
5.2 異質(zhì)外延生長薄膜及襯底的選擇
5.3 極性/半極性GaN的橫向過生長技術(shù)
5.4 結(jié)論及展望
參考文獻(xiàn)
第六章 MOVPE高生長速率技術(shù)
6.1 引言
6.2 傳統(tǒng)MOVPE生長AlGaN和GaN的特性
6.3 氣相反應(yīng)的量子化學(xué)研究
6.4 GaN高生長速率的高流速反應(yīng)器生長
6.5 討論和總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第七章氨堿條件下GaN的氨熱生長技術(shù)
7.1 引言
7.2 生長方法
7.3 晶體表征
7.4 氨熱法同質(zhì)外延生長GaN
7.5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第八章氨熱法生長體GaN
8.1 引言
8.2 礦化劑對(duì)氨熱法合成GaN的影響
8.3 GaN在氨堿溶液中的溶解度
8.4 金屬Ga為反應(yīng)物的GaN籽晶生長
8.5 多晶GaN作為反應(yīng)物的GaN籽晶生長
8.6 體GaN的生長及晶圓的切片
8.7 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第九章酸性氨熱法生長GaN工藝
9.1 簡(jiǎn)介
9.2 酸性氨熱法生長GaN工藝簡(jiǎn)史
9.3 生長工藝
9.4 溶液化學(xué)性質(zhì)和生長機(jī)制
9.5 氨熱法制GaN的特性
9.6 氨熱法生長GaN的未來發(fā)展前景
參考文獻(xiàn)
第十章高壓溶液生長GaN
10.1 簡(jiǎn)介
10.2 生長方法
10.3 HPS生長法自發(fā)結(jié)晶
10.4 HPS法生長GaN籽晶
10.5 壓生GaN襯底的應(yīng)用: TopGaN Ltd的藍(lán)激光二極管
10.6 HPS生長方法綜述與展望
參考文獻(xiàn)
第十一章鈉流法生長大尺寸GaN晶體的簡(jiǎn)要回顧
11.1 簡(jiǎn)介
11.2 鈉流法歷史發(fā)展簡(jiǎn)述
11.3 鈉流法液相外延生長GaN的實(shí)驗(yàn)條件
11.4 生長機(jī)制和位錯(cuò)
11.5 GaN屬性
11.6 鈉流法的工業(yè)潛力
參考文獻(xiàn)
第十二章低壓液態(tài)法生長GaN
12.1 簡(jiǎn)介
12.2 在常壓下溶液生長技術(shù)，LPSG法
12.3 GaN層的結(jié)構(gòu)和形貌演變
12.4 LPSG GaN材料的特性
12.5 總結(jié)和展望
參考文獻(xiàn)
第十三章 GaN襯底的光學(xué)性質(zhì)
13.1 簡(jiǎn)介
13.2 金屬有機(jī)氣相外延和鹵化物氣相外延生長GaN襯底的光學(xué)性質(zhì)
13.3 氨熱法極性方向生長對(duì)籽晶GaN襯底光學(xué)性能的影響
13.4 位錯(cuò)彎曲對(duì)氨熱法制GaN籽晶襯底光學(xué)屬性的影響
13.5 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第十四章基于正電子湮滅光譜學(xué)研究體GaN的點(diǎn)缺陷和雜質(zhì)
14.1 簡(jiǎn)介
14.2 正電子湮滅光譜學(xué)
14.3 In-Grown Defects缺陷的生長
14.4 缺陷機(jī)制
14.5 總結(jié)
參考文獻(xiàn)