材料分析測(cè)試技術(shù)

緒論1第1章 X 射線物理基礎(chǔ)51.1　X射線的本質(zhì) 51.2　X射線的產(chǎn)生 61.3　X射線譜 71.3.1　連續(xù)譜 71.3.2　特征譜 91.4　X射線與物質(zhì)的相互作用 101.4.1　X射線的散射 101.4.2　X射線的吸收 111.4.3　吸收限的應(yīng)用 121.4.4　X射線的衰減 121.5　X射線的安全防護(hù) 13習(xí)題 14第2章 X 射線衍射理論152.1　晶體學(xué)基礎(chǔ) 152.1.1　實(shí)空間晶體學(xué)基礎(chǔ) 152.1.2　倒易點(diǎn)陣 212.2　X射線衍射方向理論 252.2.1　布拉格方程 252.2.2　衍射矢量方程 282.2.3　埃瓦爾德球圖解法及其在粉末衍射應(yīng)用 292.3　X射線衍射強(qiáng)度理論 302.3.1　晶胞對(duì) X射線的散射 302.3.2　結(jié)構(gòu)因子 332.3.3　實(shí)際晶體結(jié)構(gòu)因子計(jì)算 352.3.4　粉末多晶 X射線衍射的積分強(qiáng)度 362.3.5　多晶體衍射的積分強(qiáng)度公式 38習(xí)題 38第3章 X 射線的分析方法403.1　多晶 X射線衍射分析方法 403.1.1　粉末照相法 413.1.2　多晶 X射線衍射儀法 433.2　單晶 X射線衍射分析方法 533.2.1　四圓單晶衍射儀簡(jiǎn)介 543.2.2　四圓單晶衍射儀的構(gòu)造 553.2.3　單晶樣品的選擇 563.2.4　四圓單晶衍射儀的晶體結(jié)構(gòu)分析過程 573.3　X射線熒光光譜分析法 573.3.1　X射線熒光光譜分析的基本原理 583.3.2　X射線熒光光譜儀的構(gòu)造與工作原理 593.3.3　試樣制備要求 613.3.4　元素定性、定量分析方法及注意事項(xiàng) 623.4　X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)分析方法 633.4.1　XAFS譜 633.4.2　XAFS 實(shí)驗(yàn)方法 643.4.3　國內(nèi) XAFS光束現(xiàn)狀 65習(xí)題 66第4章 多晶X 射線衍射的應(yīng)用分析674.1　點(diǎn)陣常數(shù)精密計(jì)算 674.1.1　點(diǎn)陣常數(shù)精密計(jì)算原理 674.1.2　測(cè)量點(diǎn)陣常數(shù)的誤差來源 694.1.3　外推法消除系統(tǒng)誤差 694.1.4　小二乘法 704.1.5　標(biāo)準(zhǔn)樣品校正法 714.2　物相定性分析 744.2.1　物相定性分析基本原理 754.2.2　ICDD-PDF卡片 754.2.3　物相定性分析方法 774.2.4　物相定性分析注意事項(xiàng)及局限性 814.3　定量分析 814.3.1　定量分析原理 814.3.2　定量分析方法 824.3.3　Jade定量分析過程 854.3.4　定量分析應(yīng)注意的問題 874.4　Rietveld全譜擬合結(jié)構(gòu)精修簡(jiǎn)介 874.4.1　Rietveld全譜擬合結(jié)構(gòu)精修原理 884.4.2　Rietveld全譜擬合結(jié)構(gòu)精修步驟 894.4.3　Jade全譜擬合結(jié)構(gòu)精修過程簡(jiǎn)介 89習(xí)題 93第5章 電子顯微學(xué)物理基礎(chǔ)955.1　歷史上的顯微鏡 955.1.1　光學(xué)顯微鏡 955.1.2　阿貝成像原理 965.1.3　光學(xué)顯微鏡分辨率極限 975.2　電磁透鏡 985.2.1　電磁透鏡與光學(xué)透鏡比較 985.2.2　電子波波長 995.2.3　電磁透鏡結(jié)構(gòu)分析 1005.3　電磁透鏡像差對(duì)分辨率的影響 1025.3.1　電磁透鏡像差 1025.3.2　像差對(duì)分辨率的影響 1055.4　電磁透鏡的景深和焦長 1065.4.1　電磁透鏡的景深 1065.4.2　電磁透鏡的焦長 107習(xí)題 107第6章 透射電子顯微鏡結(jié)構(gòu)及其制樣要求1086.1　透射電子顯微鏡結(jié)構(gòu) 1086.1.1　照明系統(tǒng) 1096.1.2　樣品室 1096.1.3　成像系統(tǒng) 1116.1.4　成像模式 1126.1.5　觀察記錄系統(tǒng) 1126.1.6　校準(zhǔn)系統(tǒng) 1126.1.7　真空系統(tǒng) 1136.1.8　電路及水冷系統(tǒng) 1136.2　透射電子顯微鏡應(yīng)用性能 1136.2.1　分辨率 1136.2.2　放大倍數(shù) 1136.3　透射電子顯微鏡樣品制備技術(shù) 1146.3.1　透射電子顯微鏡樣品制備要求 1146.3.2　塊體樣品制備技術(shù) 1146.3.3　粉末樣品制備技術(shù) 116習(xí)題 116第7章 電子衍射分析技術(shù)1177.1　電子衍射基本原理 1177.1.1　電子衍射與 X射線衍射辨析 1177.1.2　埃瓦爾德球與矢量方程 1187.1.3　電子衍射基本公式 1197.2　電子衍射斑點(diǎn)分析 1217.2.1　單晶衍射斑點(diǎn)幾何特征及強(qiáng)度 1217.2.2　單晶衍射斑點(diǎn)標(biāo)定 1227.2.3　單晶標(biāo)準(zhǔn)衍射譜繪制 1267.2.4　單晶衍射斑點(diǎn)分析應(yīng)用 1277.2.5　多晶衍射斑點(diǎn)的標(biāo)定及應(yīng)用 1297.3　其他電子衍射譜 1317.3.1　孿晶電子衍射譜 1317.3.2　超點(diǎn)陣電子衍射譜 1327.3.3　高階勞厄帶 1337.4　衍射分析技術(shù) 1347.4.1　選區(qū)衍射分析技術(shù) 1347.4.2　微束衍射分析技術(shù) 1357.4.3　低能電子衍射分析技術(shù) 136習(xí)題 136第8章 透射電子襯度分析1388.1　襯度 1388.2　質(zhì)厚襯度像 1398.3　衍射襯度像 1418.4　衍射襯度的運(yùn)動(dòng)學(xué)理論 1438.4.1　衍射襯度運(yùn)動(dòng)學(xué)理論基本假設(shè) 1438.4.2　理想晶體的衍射強(qiáng)度 1448.4.3　理想晶體衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)基本方程的應(yīng)用 1458.4.4　非理想晶體的衍射襯度 1498.5　晶體缺陷分析 1508.5.1　堆積層錯(cuò) 1508.5.2　位錯(cuò) 1518.5.3　第二相粒子 1548.6　相位襯度成像 1558.6.1　相位襯度簡(jiǎn)介 1558.6.2　晶格條紋像的實(shí)踐觀察 1558.6.3　正帶軸晶格條紋像 1568.6.4　莫爾條紋 1568.6.5　實(shí)驗(yàn)觀察莫爾條紋 158習(xí)題 161第9章 掃描電子顯微鏡1639.1　電子束與固體樣品作用時(shí)產(chǎn)生的信號(hào) 1639.1.1　背散射電子 1649.1.2　二次電子 1649.1.3　吸收電子 1649.1.4　透射電子 1659.1.5　四種電子信號(hào)間關(guān)系 1659.1.6　特征 X射線 1659.1.7　俄歇電子 1669.2　掃描電子顯微鏡結(jié)構(gòu)和工作原理 1669.2.1　掃描電子顯微鏡結(jié)構(gòu) 1669.2.2　掃描電子顯微鏡的工作原理 1689.2.3　掃描電子顯微鏡的主要性能 1689.3　掃描電子顯微鏡襯度成像原理與應(yīng)用 1699.3.1　表面形貌襯度原理 1699.3.2　表面形貌襯度的應(yīng)用 1719.3.3　原子序數(shù)襯度原理及應(yīng)用 1749.3.4　掃描電子顯微鏡樣品制備 1759.3.5　掃描電子顯微鏡形貌觀察與職業(yè)規(guī)范 176習(xí)題 176第10章 電子探針顯微分析17710.1　電子探針的結(jié)構(gòu)和工作原理 17710.1.1　電子探針的結(jié)構(gòu) 17710.1.2　波譜儀 17910.1.3　能譜儀 18310.2　電子探針分析方法和應(yīng)用 18510.2.1　分析方法 18510.2.2　定量分析和校正 18710.2.3　電子探針的應(yīng)用 189習(xí)題 190第11章 熱分析技術(shù)19111.1　差熱分析 19111.1.1　差熱分析基本原理 19111.1.2　差熱分析儀 19211.1.3　差熱分析曲線 19311.1.4　影響差熱分析的因素 19511.1.5　差熱分析曲線的應(yīng)用 19511.2　示差掃描量熱法 19711.2.1　示差掃描量熱法基本原理 19711.2.2　示差掃描量熱分析儀 19711.2.3　示差掃描量熱分析曲線 19811.2.4　影響示差掃描量熱分析的因素 19811.2.5　示差掃描量熱分析曲線的應(yīng)用 19911.3　熱重分析 20111.3.1　熱重分析基本原理 20111.3.2　熱重分析儀 20111.3.3　熱重曲線 20211.3.4　影響熱重分析曲線的因素 20311.3.5　熱重分析的應(yīng)用 204習(xí)題 206第12章 綜合分析測(cè)試案例20712.1　水熱合成 SnSe微米片生長機(jī)理綜合測(cè)試分析 20712.2?。∟d，Pr）Hx 和Cu 共摻雜協(xié)同調(diào)控Nd-Ce-Fe-B晶界相綜合測(cè)試分析 21112.3　三維Ti3C2-TiO2 納米花復(fù)合材料的物相與微觀結(jié)構(gòu)綜合測(cè)試分析 213習(xí)題 218參考文獻(xiàn)219