極紫外光刻

第1章 緒論
1.1  光刻技術的歷史背景/1 
1.2  光刻技術的組成部分 /3 
1.3  材料考量和多層膜反射鏡/4 
1.4  一般性問題 /11 
習題/12 
參考文獻/12
第2章  EUV光源
2.1  激光等離子體光源/15 
2.2  放電等離子體光源/28 
2.3  自由電子激光器/32 
習題/36 
參考文獻/36
第3章  EUV光刻曝光系統(tǒng)
3.1  真空中的EUV光刻/40 
3.2  照明系統(tǒng) /45 
3.3  投影系統(tǒng)/47 
3.4  對準系統(tǒng)/52 
3.5  工件臺系統(tǒng)/53 
3.6  聚焦系統(tǒng) /54 
習題/55 
參考文獻/56
第4章  EUV掩模
4.1  EUV掩模結(jié)構(gòu)/60 
4.2  多層膜和掩?；迦毕?66 
4.3  掩模平整度和粗糙度/71 
4.4  EUV掩模制作/74 
4.5  EUV掩模保護膜/75 
4.6  EUV掩模放置盒/83
4.7  其他EUV掩模吸收層與掩模架構(gòu)/85 
習題/88 
參考文獻/88
第5章  EUV光刻膠
5.1  EUV化學放大光刻膠的曝光機制/95 
5.2  EUV光刻中的隨機效應/98 
5.3  化學放大光刻膠的新概念/108 
5.4  金屬氧化物EUV光刻膠/110 
5.5  斷裂式光刻膠/111 
5.6  真空沉積光刻膠/111 
5.7  光刻膠襯底材料/113 
習題/114 
參考文獻/115
第6章  EUV計算光刻
6.1  傳統(tǒng)光學鄰近校正的考量因素/121 
6.2  EUV掩模的三維效應/125 
6.3  光刻膠的物理機理/133 
6.4  EUV光刻的成像優(yōu)化/135 
習題/138 
參考文獻/139
第7章  EUV光刻工藝控制
7.1  套刻/144
7.2  關鍵尺寸控制/149 
7.3  良率 / 151 
習題/155 
參考文獻/156
第8章  EUV光刻的量測
8.1  掩?；迦毕輽z測/160 
8.2  EUV掩模測評工具/163 
8.3  量產(chǎn)掩模驗收工具/165 
8.4  材料測試工具/168 
習題/169 
參考文獻/170
第9章  EUV光刻成本
9.1  晶圓成本 /173 
9.2  掩模成本/181 
習題/182 
參考文獻/182
第10章 未來的EUV光刻
10.1  k【能走多低/184 
10.2  更高的數(shù)值孔徑/186 
10.3  更短的波長/193 
10.4  EUV多重成形技術/194 
10.5  EUV光刻的未來/195 
習題/195 
參考文獻/196
索 引