哈利•杰•萊文森（Harry J.Levinson），國際光學工程學會（SPIE）會士，HJL Lithography 的獨立光刻顧問和首席光刻師，專注于光刻領域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM擔任過職位。曾將光刻應用于許多不同的技術，包括雙極存儲器、64MB和256MB DRAM開發(fā)、專用集成電路芯片制造、磁記錄薄膜磁頭、閃存和先進邏輯芯片等。曾數年擔任美國光刻技術工作組主席，參與制定了《國際半導體技術路線圖》中有關光刻技術的章節(jié)。他是硅谷首批SVG-5倍步進式光刻機的用戶之一，也是248nm、193nm和極紫外光刻的早期參與者；撰寫的著作還有：《光刻工藝控制》《光刻原理》，擁有70多項美國專利。高偉民，阿斯麥公司（ASML）中國區(qū)技術總監(jiān)，資深的光刻技術專家。獲浙江大學光學工程學士學位和比利時魯汶大學物理學碩士、博士學位，先后就職于比利時微電子研發(fā)中心（IMEC）和美國新思科技（Synopsys）。專注光刻技術研發(fā)，浸潤先進光刻技術研發(fā)20年，參與了從0.13μm到5nm節(jié)點的多世代芯片光刻技術開發(fā)，擁有15年極紫外光刻技術研發(fā)的豐富經驗。還在各種國際期刊和會議上發(fā)表了100多篇論文，擔任多個國際會議組委并多次作邀請演講。
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