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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書主要介紹近幾年發(fā)展較快的氧化鎵半導(dǎo)體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測(cè)器件等方面都具有重要的應(yīng)用前景。本書共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導(dǎo)體材料的基本結(jié)構(gòu)，單晶生長(zhǎng)和薄膜外延方法，電學(xué)特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導(dǎo)體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注入、缺陷修復(fù)等內(nèi)容；第5~7章（氧化鎵器件部分）介紹了氧化鎵二極管器件的應(yīng)用方向、器件類型及其發(fā)展歷程，氧化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理、性能指標(biāo)、器件類型、發(fā)展歷程以及今后的發(fā)展方向，氧化鎵日盲深紫外光電探測(cè)器的工作原理、器件類型、成像技術(shù)等。本書可作為寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件相關(guān)的半導(dǎo)體、材料、化學(xué)、微電子等專業(yè)研究人員及理工科高等院校的教師、研究生、高年級(jí)本科生的參考書和工具書，也可作為其他對(duì)氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體器件感興趣的研究人員的參考資料。