氮化物半導體太赫茲器件

　　隨著太赫茲技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導體氮化鎵具有更高擊穿場強、更高熱導率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點，在研制大功率固態(tài)源、高速調(diào)制和高靈敏探測方面具有優(yōu)勢。本書主要介紹氮化物太赫茲器件的Z新進展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、倍頻器、功率放大器、直接調(diào)制器件和高靈敏探測器件等，涉及器件的基本工作原理、設(shè)計方法、工藝方法、測試方法和應(yīng)用等。本書是在作者近幾年來一直從事氮化物太赫茲器件研究工作的基礎(chǔ)上，借鑒了國內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的核心研究成果，并通過大量的應(yīng)用實例來讓從事實踐的工程師掌握基本的固態(tài)太赫茲知識，并盡量減少純粹的數(shù)學分析。 本書供從事氮化物半導體太赫茲器件的研究人員及工程技術(shù)人員學習參考。

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