新型廣譜硅材料的制備及其光電性能研究

第1章 硅材料概述
1.1 引言
1.2 硅材料的結(jié)構(gòu)與性能
1.3 硅材料的分類
1.4 硅材料的制備技術(shù)
1.5 硅材料的應(yīng)用
第2章 硅基光電子器件及原理
2.1 硅基光電子器件
2.2 硅基太陽能電池的結(jié)構(gòu)與原理
2.3 硅基光電探測器的結(jié)構(gòu)與原理
2.4 硅材料中的能級理論
第3章 新型廣譜硅材料
3.1 引言
3.2 新型廣譜硅材料的特點
3.3 硅材料的超飽和摻雜
3.4 新型廣譜硅材料的研究現(xiàn)狀
第4章 制備新型廣譜硅材料的實驗設(shè)備
4.1 高能離子注入機
4.2 激光輻照系統(tǒng)
4.3 管式爐退火設(shè)備
4.4 超快熱處理設(shè)備
第5章 新型廣譜硅材料的激光制備方法
5.1 脈沖激光與硅表面的相互作用
5.2 皮秒脈沖激光制備方法
5.3 飛秒脈沖激光制備方法
第6章 新型廣譜硅材料的離子注入制備方法
6.1 離子注入模型
6.2 管式爐退火
6.3 超快熱處理退火
6.4 飛秒脈沖激光退火
6.5 皮秒脈沖激光退火
6.6 準分子激光退火
6.7 CO2激光退火
第7章 新型廣譜硅材料的結(jié)構(gòu)與性能表征
7.1 掃描電子顯微鏡
7.2 透射電子顯微鏡
7.3 原子力顯微鏡
7.4 共聚焦拉曼光譜
7.5 光學(xué)性能測試
7.6 電流-電壓特性測試
7.7 霍爾效應(yīng)測試
7.8 光譜響應(yīng)測試
7.9 量子效率測試
第8章 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的制備及性能分析
8.1 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的制備
8.2 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的形貌特征
8.3 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的電學(xué)性能
8.4 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的光學(xué)性能
8.5 皮秒激光輻照氣相摻雜硅材料的拉曼光譜
第9章 離子注入激光輻照硅材料的制備與性能分析
9.1 離子注入激光輻照硅材料的制備
9.2 離子注入硅材料的摻雜濃度隨深度的變化
9.3 離子注入硅材料的光吸收譜
9.4 皮秒激光輻照對硫離子注入硅材料光吸收率的影響
9.5 納秒準分子激光輻照對硫離子注入硅材料光吸收率的影響
第10章 離子注入條件對廣譜硅材料結(jié)構(gòu)及性能的影響
10.1 離子注入條件對硫超飽和摻雜硅光吸收率的影響
10.2 離子注入條件對硒超飽和摻雜硅結(jié)構(gòu)及光吸收率的影響
10.3 離子注入條件對碲超飽和摻雜硅形貌及光電性能的影響
第11章 二次退火對超飽和摻雜硅材料光吸收率的影響
11.1 管式爐二次退火對材料光吸收率的影響
11.2 快速二次退火對材料光吸收率的影響
11.3 納秒準分子激光二次退火對材料光吸收率的影響
11.4 離子注入激光輻照硅材料的電學(xué)性能
11.5 離子注入激光輻照硅材料的拉曼光譜
第12章 退火工藝對廣譜硅材料結(jié)構(gòu)及光電性能的影響
12.1 管式爐退火對超飽和摻雜硅微結(jié)構(gòu)及光電性能的影響
12.2 快速熱退火對超飽和摻雜硅微結(jié)構(gòu)及光電性能的影響
12.3 納秒激光退火對超飽和摻雜硅微結(jié)構(gòu)及光電性能的影響
12.4 皮秒激光退火對超飽和摻雜硅微結(jié)構(gòu)及光電性能的影響
12.5 廣譜硅材料微結(jié)構(gòu)與光電性能的關(guān)聯(lián)及調(diào)控機理
第13章 皮秒激光氣相摻雜硅探測器的研制與性能分析
13.1 皮秒激光輻照氣相摻雜硅探測器的研制
13.2 皮秒激光輻照氣相摻雜P型硅探測器的性能分析
13.3 皮秒激光輻照氣相摻雜N型硅探測器的性能分析
第14章 離子注入激光輻照硅探測器的研制與性能分析
14.1 離子注入激光輻照硅探測器的研制
14.2 離子注入皮秒激光輻照硅探測器的性能分析
14.3 離子注入脈沖激光輻照及二次退火硅探測器的性能分析
14.4 超飽和摻雜硅探測器的紅外響應(yīng)與增益機理
14.5 本章小結(jié)
第15章 超飽和硫摻雜硅太陽能電池的研制及其性能分析
15.1 超飽和硫摻雜硅太陽能電池結(jié)構(gòu)
15.2 超飽和硫摻雜硅太陽能電池工藝流程
15.3 超飽和硫摻雜硅太陽能電池性能分析
15.4 超飽和硫摻雜硅太陽能電池的總結(jié)與展望
第16章 總結(jié)
參考文獻