123,123

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　單片智能功率芯片是一種功能與結(jié)構(gòu)高度集成化的高低壓兼容芯片，其內(nèi)部集成了高壓功率器件、高低壓轉(zhuǎn)換電路及低壓邏輯控制電路等，高壓厚膜SOI基橫向IGBT器件（高壓厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作開(kāi)關(guān)器件，是該芯片中的核心器件，其性能直接決定了芯片的可靠性和功耗。本書(shū)共7章：介紹了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理，分析了器件的耐壓、導(dǎo)通、關(guān)斷原理；然后圍繞高壓厚膜SOI-LIGBT器件的關(guān)鍵技術(shù)，研究了高壓互連線(xiàn)屏蔽技術(shù)、電流密度提升技術(shù)和快速關(guān)斷技術(shù)三大類(lèi)技術(shù)，分析了U型溝道電流密度提升技術(shù)、雙溝槽互連線(xiàn)屏蔽技術(shù)、復(fù)合集電極快速關(guān)斷技術(shù)等9種技術(shù)；圍繞高壓厚膜SOI-LIGBT器件的魯棒性，研究了關(guān)斷失效、短路失效、開(kāi)啟電流過(guò)充、低溫特性漂移；探討了厚膜SOI-LIGBT器件的工藝和版圖。本書(shū)內(nèi)容基于過(guò)去8年單片智能功率芯片國(guó)產(chǎn)化過(guò)程中的創(chuàng)新設(shè)計(jì)和工程實(shí)踐積累進(jìn)行編寫(xiě)，兼具理論啟發(fā)性和工程實(shí)用性，適合功率半導(dǎo)體器件與集成電路領(lǐng)域內(nèi)的科研、生產(chǎn)、教學(xué)人員閱讀和參考。

作者簡(jiǎn)介

　　張龍 2010年于中國(guó)礦業(yè)大學(xué)獲學(xué)士學(xué)位，2013年、2018年于東南大學(xué)分別獲碩士、博士學(xué)位，2018-2020年在東南大學(xué)從事博士后研究工作，目前為東南大學(xué)至善青年學(xué) 者，副教授，博士生導(dǎo)師，博士論文曾入選2019年度中國(guó)電子學(xué)會(huì)優(yōu) 秀博士學(xué)位論文。主要研究方向?yàn)楣β拾雽?dǎo)體集成工藝及器件，開(kāi)發(fā)了600V高功率密度厚膜絕緣體上硅Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT工藝，并實(shí)現(xiàn)了單片全集成智能功率芯片的自主制備。孫偉鋒 2000年、2003年、2007年于東南大學(xué)分別獲學(xué)士、碩士及博士學(xué)位，目前為東南大學(xué)首席教授，國(guó)家高層次人才，江蘇省特聘教授，博士生導(dǎo)師。主要研究方向?yàn)楣β拾雽?dǎo)體集成電路。劉斯揚(yáng) 2008年于合肥工業(yè)大學(xué)獲學(xué)士學(xué)位，2011年、2015年于東南大學(xué)分別獲碩士、博士學(xué)位，2015至2017年在東南大學(xué)從事博士后研究工作，目前為東南大學(xué)青年首席教授，國(guó)家高層次人才，博士生導(dǎo)師，博士論文曾入選 2016年度中國(guó)電子學(xué)會(huì)優(yōu) 秀博士學(xué)位論文。主要研究方向?yàn)楣β拾雽?dǎo)體集成工藝、器件及可靠性。

圖書(shū)目錄

第1章　緒論 1
1.1　單片智能功率芯片與厚膜SOI工藝　1
1.1.1　單片智能功率芯片　1
1.1.2　厚膜SOI工藝　2
1.1.3　LIGBT器件及其應(yīng)用需求　3
1.2　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的研究現(xiàn)狀　6
1.2.1　互連線(xiàn)技術(shù)　6
1.2.2　電流密度提升技術(shù)　7
1.2.3　短路魯棒性　8
1.2.4　關(guān)斷魯棒性　10
1.2.5　快速關(guān)斷技術(shù)　11
1.3　本書(shū)內(nèi)容　12
參考文獻(xiàn)　13
第2章　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的基本原理　20
2.1　耐壓原理　20
2.2　導(dǎo)通原理　22
2.3　關(guān)斷原理　24
2.3.1　開(kāi)關(guān)波形　24
2.3.2　關(guān)斷的物理過(guò)程　26
2.4　短路過(guò)程與失效機(jī)理　27
參考文獻(xiàn)　32
第3章　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的互連線(xiàn)技術(shù)　33
3.1　HVI導(dǎo)致?lián)舸╇妷合陆档臋C(jī)理　33
3.2　等深雙溝槽互連線(xiàn)技術(shù)　35
3.3　非等深雙溝槽互連線(xiàn)技術(shù)　41
3.4　本章小結(jié)　49
參考文獻(xiàn)　50
第4章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的電流密度提升技術(shù)　51
4.1　電流密度與閂鎖電壓的折中關(guān)系　51
4.2　直角U型溝道技術(shù)　55
4.3　非直角U型溝道技術(shù)　60
4.4　本章小結(jié)　70
參考文獻(xiàn)　71
第5章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的魯棒性　73
5.1　關(guān)斷魯棒性　73
5.1.1　多跑道并聯(lián)SOI-LIGBT器件的非一致性關(guān)斷特性　73
5.1.2　非一致性關(guān)斷行為的改進(jìn)　83
5.2　短路魯棒性　84
5.2.1　雙柵控制型器件及其短路能力　84
5.2.2　溝槽柵U型溝道器件的特性　89
5.2.3　平面柵與溝槽柵U型溝道器件的短路特性對(duì)比　94
5.3　開(kāi)啟電流過(guò)沖與di/dt控制技術(shù)　104
5.3.1　U型溝道SOI-LIGBT器件的di/dt可控性　104
5.3.2　預(yù)充電控制技術(shù)　106
5.4　擊穿電壓漂移現(xiàn)象　110
5.4.1　低溫動(dòng)態(tài)雪崩測(cè)試　111
5.4.2　動(dòng)態(tài)雪崩穩(wěn)定性機(jī)理　113
5.4.3　優(yōu)化策略討論　118
5.5　本章小結(jié)　122
參考文獻(xiàn)　122
第6章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的快速關(guān)斷技術(shù)　127
6.1　漂移區(qū)深溝槽技術(shù)　127
6.1.1　漂移區(qū)雙溝槽器件及其關(guān)斷特性　127
6.1.2　漂移區(qū)三溝槽器件及其關(guān)斷特性　135
6.2　電壓波形平臺(tái)的產(chǎn)生機(jī)理與消除技術(shù)　144
6.2.1　電壓波形平臺(tái)的產(chǎn)生機(jī)理　145
6.2.2　電壓波形平臺(tái)的消除技術(shù)　148
6.3　復(fù)合集電極技術(shù)　156
6.3.1　復(fù)合集電極結(jié)構(gòu)與原理　157
6.3.2　復(fù)合集電極SOI-LIGBT器件的特性　160
6.4　橫向超結(jié)技術(shù)　165
6.4.1　橫向超結(jié)的排列方式　166
6.4.2　關(guān)斷過(guò)程電壓波形分析　168
6.4.3　橫向超結(jié)優(yōu)化策略　174
6.5　陽(yáng)極短路技術(shù)　178
6.5.1　結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理　178
6.5.2　電學(xué)特性　183
6.6　本章小結(jié)　188
參考文獻(xiàn)　189
第7章高壓厚膜SOI-LIGBT器件工藝流程與版圖設(shè)計(jì)　193
7.1　工藝流程　193
7.2　版圖設(shè)計(jì)　196
7.2.1　直條區(qū)域　196
7.2.2　拐角區(qū)域與HVI　197
7.2.3　跑道和隔離溝槽　197
參考文獻(xiàn)　198
符號(hào)、變量注釋表　199
縮略語(yǔ)　201