高壓厚膜SOI-LIGBT器件關(guān)鍵技術(shù)

第1章　緒論 1
1.1　單片智能功率芯片與厚膜SOI工藝　1
1.1.1　單片智能功率芯片　1
1.1.2　厚膜SOI工藝　2
1.1.3　LIGBT器件及其應(yīng)用需求　3
1.2　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的研究現(xiàn)狀　6
1.2.1　互連線技術(shù)　6
1.2.2　電流密度提升技術(shù)　7
1.2.3　短路魯棒性　8
1.2.4　關(guān)斷魯棒性　10
1.2.5　快速關(guān)斷技術(shù)　11
1.3　本書內(nèi)容　12
參考文獻(xiàn)　13
第2章　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的基本原理　20
2.1　耐壓原理　20
2.2　導(dǎo)通原理　22
2.3　關(guān)斷原理　24
2.3.1　開關(guān)波形　24
2.3.2　關(guān)斷的物理過程　26
2.4　短路過程與失效機(jī)理　27
參考文獻(xiàn)　32
第3章　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的互連線技術(shù)　33
3.1　HVI導(dǎo)致?lián)舸╇妷合陆档臋C(jī)理　33
3.2　等深雙溝槽互連線技術(shù)　35
3.3　非等深雙溝槽互連線技術(shù)　41
3.4　本章小結(jié)　49
參考文獻(xiàn)　50
第4章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的電流密度提升技術(shù)　51
4.1　電流密度與閂鎖電壓的折中關(guān)系　51
4.2　直角U型溝道技術(shù)　55
4.3　非直角U型溝道技術(shù)　60
4.4　本章小結(jié)　70
參考文獻(xiàn)　71
第5章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的魯棒性　73
5.1　關(guān)斷魯棒性　73
5.1.1　多跑道并聯(lián)SOI-LIGBT器件的非一致性關(guān)斷特性　73
5.1.2　非一致性關(guān)斷行為的改進(jìn)　83
5.2　短路魯棒性　84
5.2.1　雙柵控制型器件及其短路能力　84
5.2.2　溝槽柵U型溝道器件的特性　89
5.2.3　平面柵與溝槽柵U型溝道器件的短路特性對比　94
5.3　開啟電流過沖與di/dt控制技術(shù)　104
5.3.1　U型溝道SOI-LIGBT器件的di/dt可控性　104
5.3.2　預(yù)充電控制技術(shù)　106
5.4　擊穿電壓漂移現(xiàn)象　110
5.4.1　低溫動態(tài)雪崩測試　111
5.4.2　動態(tài)雪崩穩(wěn)定性機(jī)理　113
5.4.3　優(yōu)化策略討論　118
5.5　本章小結(jié)　122
參考文獻(xiàn)　122
第6章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的快速關(guān)斷技術(shù)　127
6.1　漂移區(qū)深溝槽技術(shù)　127
6.1.1　漂移區(qū)雙溝槽器件及其關(guān)斷特性　127
6.1.2　漂移區(qū)三溝槽器件及其關(guān)斷特性　135
6.2　電壓波形平臺的產(chǎn)生機(jī)理與消除技術(shù)　144
6.2.1　電壓波形平臺的產(chǎn)生機(jī)理　145
6.2.2　電壓波形平臺的消除技術(shù)　148
6.3　復(fù)合集電極技術(shù)　156
6.3.1　復(fù)合集電極結(jié)構(gòu)與原理　157
6.3.2　復(fù)合集電極SOI-LIGBT器件的特性　160
6.4　橫向超結(jié)技術(shù)　165
6.4.1　橫向超結(jié)的排列方式　166
6.4.2　關(guān)斷過程電壓波形分析　168
6.4.3　橫向超結(jié)優(yōu)化策略　174
6.5　陽極短路技術(shù)　178
6.5.1　結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理　178
6.5.2　電學(xué)特性　183
6.6　本章小結(jié)　188
參考文獻(xiàn)　189
第7章高壓厚膜SOI-LIGBT器件工藝流程與版圖設(shè)計　193
7.1　工藝流程　193
7.2　版圖設(shè)計　196
7.2.1　直條區(qū)域　196
7.2.2　拐角區(qū)域與HVI　197
7.2.3　跑道和隔離溝槽　197
參考文獻(xiàn)　198
符號、變量注釋表　199
縮略語　201