TiO2和WO3的氧空位調(diào)控及其光電磁學特性

1.1.1TiO2 和WO3 的晶體結(jié)構(gòu)003
1.1.2半導體材料光電響應機理006
1.1.3TiO2 和WO3 的應用、性能與研究現(xiàn)狀009
1.1.4半導體材料光電性能影響因素與改善策略014
1.2TiO2和WO3中的缺陷017
1.2.1氧空位缺陷類型017
1.2.2氧空位對TiO2 和WO3 物理化學性能的影響017
1.3富含氧空位缺陷TiO2和WO3的研究現(xiàn)狀024
1.3.1富含氧空位缺陷TiO2 和WO3 的磁學性能024
1.3.2富含氧空位缺陷TiO2 和WO3 的表面增強拉曼性能025
參考文獻026
第2章TiO2和WO3薄膜制備方法與實驗方法045
2.1薄膜的制備方法047
2.1.1濺射法制備WO3 薄膜047
2.1.2水熱法制備TiO2 納米薄膜052
2.2TiO2和WO3氧空位缺陷的調(diào)控方法053
2.2.1氫熱處理法053
2.2.2金屬和非金屬離子摻雜法054
2.2.3反應條件驅(qū)動法054
2.2.4高能粒子轟擊法055
2.2.5缺氧條件下熱處理法056
2.3實驗方法057
2.3.1掃描電子顯微鏡057
2.3.2透射電子顯微鏡058
2.3.3吸收光譜058
2.3.4拉曼散射譜059
2.3.5X 射線光電子能譜060
2.3.6X 射線衍射譜060
2.3.7電阻率測試061
2.3.8霍爾效應測量系統(tǒng)062
2.3.9綜合物性測量系統(tǒng)063
2.3.10基于SERS 效應的分子檢測063
2.4性原理計算方法064
參考文獻067
第3章離子注入誘導氧空位對WO3薄膜電導率的影響075
3.1概述077
3.2實驗過程079
3.3結(jié)果與討論080
3.3.1離子注入模擬080
3.3.2樣品微結(jié)構(gòu)081
3.3.3SEM 圖082
3.3.4電阻率083
3.3.5XPS 圖譜086
參考文獻088
第4章Ar 輻照WO3薄膜中氧空位增強的室溫鐵磁性093
4.1概述095
4.2實驗過程096
4.3結(jié)果和討論097
4.3.1離子注入模擬097
4.3.2SEM 圖098
4.3.3XRD 圖譜099
4.3.4Raman 圖譜101
4.3.5AFM 圖102
4.3.6PL 圖譜103
4.3.7室溫磁學性能104
4.3.8XPS 圖譜105
4.3.9鐵磁性的機制107
參考文獻110
第5章W18O49納米線中缺陷引起的鐵磁性117
5.1概述119
5.2實驗過程121
5.3結(jié)果和討論122
5.3.1XRD 圖譜122
5.3.2SEM 和TEM 圖譜124
5.3.3XPS 圖譜125
5.3.4室溫磁學特性127
5.3.5EPR 圖譜128
參考文獻130
第6章富含氧空位的W18O49納米結(jié)構(gòu)的光催化抗菌性能137
6.1概述139
6.2實驗過程140
6.3結(jié)果和討論141
6.3.1XRD 圖譜141
6.3.2SEM 和TEM 圖像142
6.3.3XPS 圖譜143
6.3.4EPR 圖譜145
6.3.5抗菌特性146
6.3.6抗菌機制146
參考文獻148
第7章熱處理制備具有高SERS 靈敏度的穩(wěn)定非化學
計量WO3-x 薄膜153
7.1概述155
7.2實驗過程156
7.3結(jié)果和討論157
7.3.1XRD、Raman 和PL 圖譜157
7.3.2XPS 圖譜160
7.3.3EPR 圖譜164
7.3.4SERS 性能和機制165
7.3.5氧空位形成能計算168
參考文獻171
第8章真空退火增強TiO2納米棒薄膜的SERS 靈敏度177
8.1概述179
8.2實驗過程180
8.3結(jié)果和討論182
8.3.1SERS 性能182
8.3.2SEM 圖像184
8.3.3XRD、Raman、PL 和紫外可見吸收圖譜186
8.3.4XPS 圖譜189
8.3.5SERS 增強機制191
參考文獻193