石墨烯納米電子學(xué)：從材料到電路

第1章 CMOS器件性能進展
1．1 引言
1．2 MOSFET操作的基本原理
1．3 10nm尺寸MOSFET器件物理
1．4 簡單的MOSFET模型
1．5 MOSFET性能指標(biāo)
1．6 MOSFET性能的歷史發(fā)展趨勢
1．7 Si基MOSFET的速度演化
1．8 應(yīng)變Si器件中的載流子速度增長極限
1．9 對Ge和Ⅲ-V族半導(dǎo)體中的速度增長的展望
1．10 小結(jié)
參考文獻
延伸閱讀
第2章 石墨烯中的電子輸運
2．1 石墨烯的電子能帶結(jié)構(gòu)
2．1．1 緊束縛計算
2．1．2 石墨烯納米帶
2．2 電子輸運
2．2．1 電聲子散射
2．2．2 無序散射
2．2．3 石墨烯納米帶中的輸運
2．2．4 SiC生長和CVD生長石墨烯中的輸運
2．3 石墨烯場效應(yīng)晶體管中的高場輸運
2．4 小結(jié)
致謝
參考文獻
延伸閱讀
第3章 石墨烯晶體管
3．1 引言
3．2 數(shù)字場效應(yīng)晶體管
3．3 能帶帶隙
3．4 射頻場效應(yīng)晶體管（RFFET）
3．5 寬度縮放
3．6 邊緣散射的弱化
3．7 長度縮放
3．8 層數(shù)對FET性能的影響
3．9 摻雜
3．10 數(shù)字FET的性能藍(lán)圖
3．11 接觸電阻
3．12 從晶體管到電路
3．13 非經(jīng)典的電荷晶體管
3．14 小結(jié)
參考文獻
第4章 非電態(tài)參量石墨烯晶體管
4．1 引言
4．2 石墨烯中的電子電荷
4．3 石墨烯原子開關(guān)
4．4 石墨烯中的自旋
4．5 石墨烯中的贗自旋
4．6 石墨烯中的聲子
4．7 展望
致謝
參考文獻
……
第5章 新型態(tài)參量的輸運
第6章 石墨烯的外延生長
第7章 利用化學(xué)氣相沉積法生長石墨烯
第8章 制備石墨烯氧化物及相關(guān)材料的化學(xué)方法
第9章 石墨烯上的電介質(zhì)原子層沉積
縮略語