光電混沌信號產(chǎn)生理論與實驗

 
 
第1章緒論
1.1混沌信號產(chǎn)生的意義
1.2混沌信號產(chǎn)生的研究歷程
1.2.1電路混沌產(chǎn)生
1.2.2光學混沌產(chǎn)生
1.3本書結(jié)構(gòu)安排
參考文獻
第2章混沌信號與系統(tǒng)分析方法
2.1前言
2.2混沌系統(tǒng)分析方法
2.2.1穩(wěn)態(tài)解及線性穩(wěn)定性分析
2.2.2數(shù)值仿真
2.2.3分岔圖
2.3混沌信號分析方法
2.3.1時域分析法 
2.3.2頻域分析法 
參考文獻
第3章電學混沌信號產(chǎn)生
3.1典型數(shù)學混沌系統(tǒng)的電路實現(xiàn)
3.1.1洛倫茨混沌電路
3.1.2邏輯斯諦映射混沌電路
3.1.3帳篷映射混沌電路
3.1.4多渦卷混沌映射電路
3.2基于非線性器件的混沌電路
3.2.1蔡氏混沌電路
3.2.2考畢茲混沌電路
3.2.3布爾混沌電路
3.2.4憶阻器混沌電路
參考文獻
第4章半導體激光器基礎(chǔ)
4.1半導體激光器原理與結(jié)構(gòu)
4.1.1半導體材料及光學增益
4.1.2半導體激光諧振腔
4.1.3半導體激光器閾值條件
4.2半導體激光器物理特性
4.2.1速率方程
4.2.2穩(wěn)態(tài)特性
4.2.3動力學特性
4.3常用半導體激光器類型
4.3.1FP半導體激光器
4.3.2DFB與DBR半導體激光器
4.3.3垂直腔面發(fā)射激光器
4.3.4微腔半導體激光器
參考文獻
第5章半導體激光器產(chǎn)生混沌
5.1引言
5.1.1激光器分類
5.1.2半導體激光器產(chǎn)生混沌典型方法
5.1.3本章內(nèi)容安排
5.2光反饋DFB半導體激光器
5.2.1典型實驗裝置
5.2.2理論模型
5.2.3穩(wěn)態(tài)及線性穩(wěn)定性分析
5.2.4長外腔反饋進入混沌的路徑
5.2.5短外腔反饋進入混沌的路徑
5.2.6光反饋激光器混沌振蕩的特征
5.2.7反饋時延特征抑制方法
5.3光注入DFB半導體激光器
5.3.1光注入方式
5.3.2連續(xù)光單向注入激光器
5.3.3調(diào)制光單向注入激光器 
5.3.4激光器互注入
5.4光電反饋DFB半導體激光器
5.4.1實驗裝置與理論模型
5.4.2光電反饋半導體激光器的混沌激光產(chǎn)生
5.5混沌帶寬展寬方法
5.5.1外光注入
5.5.2復雜光反饋
5.5.3混沌光混頻
5.5.4混沌光后處理
5.6其他類型半導體激光器產(chǎn)生混沌
5.6.1多縱模FP激光器
5.6.2DBR激光器產(chǎn)生波長混沌
5.6.3垂直腔面發(fā)射激光器
5.6.4微腔激光器
5.6.5納米半導體激光器
5.7集成混沌激光器
5.7.1模塊化集成混沌激光器
5.7.2片上集成混沌激光器
5.7.3展望
參考文獻
第6章光電振蕩系統(tǒng)產(chǎn)生混沌
6.1混沌光電振蕩器簡介
6.1.1基本原理
6.1.2研究進展
6.2基于強度調(diào)制器的混沌光電振蕩器
6.2.1裝置與模型
6.2.2線性穩(wěn)定性分析
6.2.3進入混沌路徑
6.2.4光電振蕩器混沌信號特性
6.2.5反饋環(huán)路結(jié)構(gòu)改進
6.3基于相位調(diào)制器的混沌光電振蕩器
6.3.1裝置與模型
6.3.2混沌信號產(chǎn)生
6.3.3相位光電振蕩器的改進
6.4基于其他調(diào)制器的混沌光電振蕩器
參考文獻
第7章混沌激光的量子統(tǒng)計特性
7.1引言
7.1.1光場的量子統(tǒng)計
7.1.2光子的聚束效應
7.2混沌激光的光子統(tǒng)計分布
7.2.1單光子計數(shù)
7.2.2混沌激光的光子統(tǒng)計特性
7.3混沌激光的二階相干度
7.3.1光場的二階相干度
7.3.2HBT關(guān)聯(lián)測量
7.3.3混沌激光的二階相干度
7.4混沌激光量子統(tǒng)計特性的測量
7.4.1微觀量子統(tǒng)計特性與宏觀動力學特性的測量
7.4.2不同光子數(shù)分布下混沌激光二階相干度的測量結(jié)果
7.4.3不同混沌狀態(tài)下光場二階相干度的測量結(jié)果
7.5本章小結(jié)
參考文獻
索引