半導(dǎo)體材料（第四版）

　　本書介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體；第10章為低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料；第11章為氧化物半導(dǎo)體材料；第12章為照明半導(dǎo)體材料；第13章為其他半導(dǎo)體材料。

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