過渡金屬摻雜硅基納米材料的密度泛函理論研究

緒論
第一章 納米科技
第一節(jié) 納米科技概述
一、納米科技的基本概念
二、納米科技的發(fā)展史
第二節(jié) 納米材料
一、納米材料的概念
二、納米材料的分類
三、納米材料的發(fā)展簡(jiǎn)史
四、納米材料的量子效應(yīng)
五、納米結(jié)構(gòu)
六、納米材料的制備
七、納米材料的應(yīng)用
第三節(jié) 硅納米材料
參考文獻(xiàn)
第二章 理論基礎(chǔ)和計(jì)算方法
第一節(jié) 密度泛函理論
一、密度泛函理論的發(fā)展
二、多粒子體系的Schrodinger方程
三、Thomas-Fermi（T-F）模型
四、Hohenberg-Kohn（霍恩伯格-科恩）定理
五、Kohn-Sham方程
六、精確的密度泛函理論
七、局域自旋密度近似
八、廣義梯度近似（Gradient Expansion Approximation, GEA）
九、相對(duì)論效應(yīng)
第三節(jié) 量化軟件簡(jiǎn)介
一、Gaussian 軟件[63]
二、GaussiaView 軟件簡(jiǎn)介[63]
參考文獻(xiàn)
第三章 過渡金屬摻雜硅基納米團(tuán)簇的密度泛函理論研究
第一節(jié) 團(tuán)簇的研究概況
一、團(tuán)簇簡(jiǎn)介
二、團(tuán)簇的研究意義
三、團(tuán)簇的研究進(jìn)展
四、目前團(tuán)簇研究的主要問題
五、過渡金屬摻雜硅團(tuán)簇的研究進(jìn)展
六、計(jì)算細(xì)節(jié)
第二節(jié) Nb2Sin0,+/-（n=1～6）團(tuán)簇的密度泛函理論研究
一、幾何結(jié)構(gòu)
二、相對(duì)穩(wěn)定性
三、電荷布局與自然鍵軌道分析
四、Nb2Sin0.+/-團(tuán)簇的HOMO-LUMO能隙
五、磁性
六、極化率
七、電離勢(shì)和親和勢(shì)
八、紅外光譜
九、小結(jié)
第三節(jié) Nb2Gen（n=1～4）團(tuán)簇的密度泛函理論研究
一、幾何結(jié)構(gòu)和相對(duì)穩(wěn)定性
二、自然布局
三、HOMO-LUMO能隙
四、磁性
五、極化率
第四節(jié) RuSin±（n=1～6）團(tuán)簇的密度泛函理論研究
一、幾何結(jié)構(gòu)和相對(duì)穩(wěn)定性
二、電荷布局分析
三、HOMO-LUMO能隙
四、極化率和偶極矩
五、磁矩
六、RuSin0.±（n=1～6）團(tuán)簇最低能結(jié)構(gòu)的紅外（IR）光譜
七、小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第四章 過渡金屬摻雜硅納米管的密度泛函理論研究
第一節(jié) 碳納米管概述
一、碳納米管的制備
二、碳納米管的性質(zhì)
三、碳納米管的應(yīng)用
第二節(jié) 硅納米管概述
一、碳納米管的結(jié)構(gòu)
二、硅納米管的結(jié)構(gòu)
三、硅納米管的制備
四、硅納米管潛在的應(yīng)用價(jià)值
第三節(jié) 過渡金屬Cd摻雜棱柱型硅納米管的理論研究
一、計(jì)算方法
二、結(jié)果與討論
三、總結(jié)
第四節(jié) 有限長(zhǎng)過渡金屬Zn摻雜棱柱型硅納米管的理論研究
一、幾何結(jié)構(gòu)和相對(duì)穩(wěn)定性
二、Mulliken原子凈布局分析
三、HOMO-LUMO能隙
四、電偶極距
參考文獻(xiàn)