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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)系統(tǒng)性地介紹輻射對(duì)電子學(xué)系統(tǒng)的損傷機(jī)制、研究方法和加固技術(shù)。～3章介紹輻射環(huán)境、輻射與物質(zhì)的相互作用，以及電子元器件的輻射效應(yīng)；第4～6章介紹多物理響應(yīng)與多物理場(chǎng)作用、輻射效應(yīng)的試驗(yàn)與測(cè)試，以及輻射環(huán)境與輻射效應(yīng)的計(jì)算與仿真；第7章和第8章介紹電子學(xué)系統(tǒng)抗輻射加固技術(shù)與抗輻射性能評(píng)估。附錄提供了常用的輻射效應(yīng)數(shù)據(jù)以便查詢。本書(shū)適合輻射效應(yīng)與加固技術(shù)相關(guān)專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生使用，也可供相關(guān)工程技術(shù)人員和科研人員參考。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《電子學(xué)系統(tǒng)輻射效應(yīng)與加固技術(shù)》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

第l章輻射環(huán)境
1.1 概述
1.2 人為輻射環(huán)境
1.3 大氣輻射環(huán)境
1.4 空間輻射環(huán)境
1.5 其他輻射環(huán)境
1.6 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)
第2章輻射與物質(zhì)的相互作用
2.1 概述
2.2 荷電粒子與靶物質(zhì)的相互作用
2.3 光子與物質(zhì)的相互作用
2.4 中子與靶物質(zhì)的相互作用
2.5 物質(zhì)的電離損傷和位移損傷
2.6 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)
第3章電子元器件的輻射效應(yīng)
3.1 概述
3.2 材料的輻射效應(yīng)
3.3 PN結(jié)和二極管、雙極晶體管的輻射效應(yīng)
3.4 SiO2/Si界面和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輻射效應(yīng)
3.5 雙極工藝集成電路的輻射效應(yīng)
3.6 CMOS集成電路的輻射效應(yīng)
3.7 光電器件的輻射效應(yīng)
3.8 其他元器件的輻射效應(yīng)
3.9 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)
第4章多物理響應(yīng)與多物理場(chǎng)作用
4.1 概述
4.2 多物理響應(yīng)
4.3 多物理場(chǎng)作用
4.4 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)
第5章輻射效應(yīng)的試驗(yàn)與測(cè)試
5.1 概述
5.2 輻射模擬源
5.3 劑量測(cè)量
5.4 宏觀特性參數(shù)測(cè)量
5.5 微觀特性參數(shù)測(cè)量
5.6 試驗(yàn)方法
5.7 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)
第6章輻射環(huán)境與輻射效應(yīng)的計(jì)算與仿真
6.1 概述
6.2 計(jì)算與仿真工具
6.3 輻射感生缺陷建模與仿真
6.4 器件建模與仿真
6.5 電路建模與仿真
6.6 本章小結(jié)
本章參考文獻(xiàn)