核電磁脈沖安全

前言
第1章 核電磁脈沖環(huán)境
1.1 核電磁脈沖效應
1.2 基本的核電磁脈沖環(huán)境
參考文獻
第2章 核 產(chǎn)生的電磁脈沖
2.1 核電磁脈沖產(chǎn)生機理
2.2 系統(tǒng)產(chǎn)生的電磁脈沖
2.3 核電磁脈沖的特點
第3章 核電磁脈沖干擾
3.1 引言
3.2 準靜態(tài)干擾
3.3 功率流與孔徑的關系
3.4 幾種嚴密方法
3.5 核電磁脈沖干擾計算
3.6 輸電線和其他非諧振型匯能器的干擾
參考文獻
第4章 核電磁脈耦合
4.1 引言
4.2 電磁脈沖對電小尺寸柱狀導體與環(huán)狀導體的耦合
4.3 電磁脈沖對電纜等長導體的耦合
4.4 HEMP作用下近地有限長電纜外導體感應電流計算
4.5 電力線HEMP感應過電壓及其在供電系統(tǒng)中的傳輸
4.6 電磁脈沖對孔縫的耦合
參考文獻
第5章 半導體器件的輻射效應
5.1 基本半導體效應
5.2 中子環(huán)境下晶體管特性的敘述
5.3 表面復合速度
5.4 基極—發(fā)射極場區(qū)的復合
5.5 發(fā)射極效率
5.6 高注入水平
5.7 電流增益截止頻率
5.8 位移損傷過程
5.9 對入射能量的依賴關系
5.10 損傷常數(shù)對電阻率和注入水平的依賴關系
5.11 雙極晶體管的中子損傷常數(shù)
5.12 硅材料的損傷常數(shù)
5.13 鍺分析
5.14 離子注入
5.15 半導體器件的結論
參考文獻
第6章 集成電路的輻射效應
6.1 集成電路與分立元件電路輻射效應的比較
6.2 中子效應
6.3 y劑量率的影響
6.4 對擴散電阻的影響
6.5 包含光子、質子和電子效應的典型電路分析
6.6 閉鎖機理
6.7 四層開關作用