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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書主要分為半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)及半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)兩部分。半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)包括單晶硅材料的激光定向、單晶硅中晶體缺陷的腐蝕顯示、半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)定、四探針法測(cè)試半導(dǎo)體電阻率、霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)、高頻光電導(dǎo)法測(cè)少子壽命、半導(dǎo)體材料光學(xué)特性的測(cè)量、MOS 結(jié)構(gòu) C-V 特性測(cè)量、PN 結(jié)勢(shì)壘特性及雜質(zhì)的測(cè)試分析、PN 結(jié)正向特性的研究和應(yīng)用等十個(gè)實(shí)驗(yàn)。半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)包括二極管特性參數(shù)測(cè)量、穩(wěn)壓二極管特性測(cè)量、雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)量、場(chǎng)效應(yīng)管直流參數(shù)測(cè)量、晶體管基極電阻測(cè)量、晶體管特征頻率測(cè)量、數(shù)字電橋測(cè)量電位器的電阻值、集成電路特性測(cè)量、太陽能電池測(cè)量等十個(gè)實(shí)驗(yàn)。