二氧化硅低維微：納米材料的摻雜及其光學性能

1 緒論
1.1 納米材料的研究前景與發(fā)展現(xiàn)狀
1.2 Si納米材料的性質(zhì)與結構
1.2.1 Si納米材料的特性
1.2.2 Si納米材料的應用及影響
1.3 SiO2納米材料簡介
1.3.1 納米二氧化硅的物理、光學和化學特性
1.3.2 SiO2納米材料的應用
1.4 稀土摻雜納米材料的研究背景
1.4.1 無機材料的稀土摻雜
1.4.2 稀土摻雜領域的應用
1.4.3 稀土元素摻雜SiO2納米材料的研究背景
1.5 二氧化硅基體及摻雜常用的制備方法
1.5.1 二氧化硅的制備
1.5.2 摻雜方法
1.6 一維硅基微納米材料的生長機理
1.6.1 VLS生長機理
1.6.2 VS生長機理
1.6.3 氧化物輔助生長機理
2 實驗材料、設備與表征手段
2.1 實驗材料及設備
2.1.1 材料
2.1.2 設備
2.1.3 制備
2.2 表征測試
2.2.1 掃描電子顯微鏡
2.2.2 能譜
2.2.3 X射線衍射譜
2.2.4 拉曼光譜
2.2.5 紫外-可見吸收光譜
2.2.6 光致發(fā)光光譜
3 稀土摻雜二氧化硅低維材料的制備及性能
3.1 Ce3+摻雜SiO2微/納米材料及發(fā)光性能
3.1.1 引言
3.1.2 實驗
3.1.3 結果和討論
3.1.4 小結
3.2 Tb3+摻雜SiO2微/納米材料及發(fā)光性能
3.2.1 引言
3.2.2 實驗
3.2.3 結果和討論
3.2.4 小結
3.3 Sm3+摻雜SiO2微/納米材料及發(fā)光性能
3.3.1 引言
3.3.2 5%Sm3+摻雜制備SiO2納/微米材料
3.3.3 8%Sm3+摻雜制備SiO2納/微米材料
3.3.4 小結
3.4 Eu3+摻雜SiO2微/納米線及發(fā)光性能
3.4.1 引言
3.4.2 實驗