半導(dǎo)體物理學(xué)（上）

譯者的話
前言
縮寫
符號(hào)
物理常量
第1章 簡(jiǎn)介
1.1 大事年表
1.2 諾貝爾獎(jiǎng)得主
1.3 一般信息
部分 基礎(chǔ)知識(shí)
第2章 鍵
2.1 簡(jiǎn)介
2.2 共價(jià)鍵
2.3 離子鍵
2.4 混合鍵
2.5 金屬鍵
2.6 范德華鍵
2.7 固體的哈密頓算符
第3章 晶體
3.1 簡(jiǎn)介
3.2 晶體結(jié)構(gòu)
3.3 格子
3.4 重要的晶體結(jié)構(gòu)
3.5 多型性
3.6 倒格子
3.7 合金
第4章 結(jié)構(gòu)缺陷
4.1 簡(jiǎn)介
4.2 點(diǎn)缺陷
4.3 位錯(cuò)
4.4 擴(kuò)展的缺陷
4.5 無(wú)序
第5章 力學(xué)性質(zhì)
5.1 簡(jiǎn)介
5.2 晶格振動(dòng)
5.3 彈性
5.4 塑性
第6章 能帶結(jié)構(gòu)
6.1 簡(jiǎn)介
6.2 周期勢(shì)里的電子
6.3 一些半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
6.4 半導(dǎo)體帶隙的分類
6.5 合金半導(dǎo)體
6.6 非晶半導(dǎo)體
6.7 帶隙的溫度依賴關(guān)系
6.8 帶隙的同位素依賴關(guān)系
6.9 電子的色散關(guān)系
6.10 空穴
6.11 能帶反轉(zhuǎn)
6.12 立變對(duì)能帶結(jié)構(gòu)的影響
6.13 態(tài)密度
第7章 電子的缺陷態(tài)
7.1 簡(jiǎn)介
7.2 載流子密度
7.3 本征電導(dǎo)
7.4 摻雜
7.5 淺缺陷
7.6 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
7.7 深能級(jí)
7.8 電荷中性能級(jí)
7.9 半導(dǎo)體里的氫
第8章 輸運(yùn)
8.1 簡(jiǎn)介
8.2 電導(dǎo)率
8.3 低場(chǎng)輸運(yùn)
8.4 高場(chǎng)輸運(yùn)
8.5 高頻輸運(yùn)
8.6 雜質(zhì)帶輸運(yùn)
8.7 極化子
8.8 跳躍輸運(yùn)
8.9 非晶半導(dǎo)體里的輸運(yùn)
8.10 離子輸運(yùn)
8.1 l擴(kuò)散
8.12 連續(xù)性方程
8.13 熱傳導(dǎo)
8.14 熱和電荷的耦合輸運(yùn)
第9章 光學(xué)性質(zhì)
9.1 光譜區(qū)和概述
9.2 復(fù)介電函數(shù)
9.3 反射和折射
9.4 吸收
9.5 由光學(xué)聲子導(dǎo)致的介電函數(shù)
9.6 電子-光子相互作用
9.7 帶-帶躍遷
9.8 雜質(zhì)吸收
9.9 有自由電荷載流子存在時(shí)的吸收
9.10 晶格吸收
0章 復(fù)合
10.1 簡(jiǎn)介
10.2 帶.帶復(fù)合
10.3 激子復(fù)合
10.4 聲子伴線
10.5 自吸收
10.6 施主.受主對(duì)的躍遷
10.7 內(nèi)雜質(zhì)復(fù)合
10.8 俄歇復(fù)合
10.9 能帶-雜質(zhì)復(fù)合
10.10 ABC模型
10.11 場(chǎng)效應(yīng)
10.12 擴(kuò)展缺陷處的復(fù)合
10.13 過(guò)剩載流子的分布
第2部分 專題
1章 表面
11.1 簡(jiǎn)介
11.2 表面晶體學(xué)
11.3 表面能
11.4 表面的重構(gòu)
11.5 表面的形貌
11.6 表面的物理性質(zhì)
2章 異質(zhì)結(jié)構(gòu)
12.1 簡(jiǎn)介
12.2 異質(zhì)外延
12.3 異質(zhì)結(jié)構(gòu)里的能級(jí)
12.4 量子阱里的復(fù)合
12.5 同位素超晶格
12.6 晶片鍵合
3章 二維半導(dǎo)體
13.1 石墨烯和相關(guān)材料
13.2 二維化合物半導(dǎo)體
13.3 范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)
4章 納米結(jié)構(gòu)
14.1 簡(jiǎn)介
14.2 量子線
14.3 碳納米管
14.4 量子點(diǎn)
5章 外場(chǎng)
15.1 電場(chǎng)
15.2 磁場(chǎng)