二次電子發(fā)射理論及應(yīng)用

定　價(jià)：￥76.00

作　者：	封國(guó)寶，崔萬(wàn)照，王芳，苗光輝
出版社：	北京理工大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

ISBN：	9787576314144	出版時(shí)間：	2022-07-01	包裝：	平裝
開本：		頁(yè)數(shù)：		字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　\"本書的內(nèi)容主要聚焦于二次電子發(fā)射的理論模型和相關(guān)應(yīng)用方面，在部分章節(jié)列舉了幾個(gè)典型案例展開討論。本書的內(nèi)容涵蓋了二次電子的發(fā)射理論模型、測(cè)量、數(shù)據(jù)結(jié)果、表面工藝、介質(zhì)帶電分析以及典型應(yīng)用場(chǎng)景介紹。內(nèi)容涉及粒子物理理論、仿真算法、磁流體力學(xué)、表面工藝、表面表征等多領(lǐng)域。本書共分為六章，其中，章為緒論，介紹了二次電子發(fā)射和與此相關(guān)的介質(zhì)帶電概念和現(xiàn)狀。第二章中主要介紹了四種主要的二次電子發(fā)射模型，以及分別針對(duì)導(dǎo)電金屬和導(dǎo)電不良體的介質(zhì)研制的測(cè)試平臺(tái)，除此之外，還列出了部分典型金屬和介質(zhì)材料的二次電子發(fā)射數(shù)據(jù)。本書的第三部分介紹了常用的二次電子發(fā)射表面調(diào)控技術(shù)，列舉了幾種用于抑制二次電子發(fā)射的表面陷阱結(jié)構(gòu)和用于表面調(diào)控的材料工藝。第四部分介紹了電子轟擊表面的帶電效應(yīng)和二次電子發(fā)射在帶電狀態(tài)下的動(dòng)態(tài)特性。第五部分簡(jiǎn)要敘述了電子轟擊對(duì)材料的影響。第六部分講述了二次電子發(fā)射在微波部件微放電和電子顯微成像領(lǐng)域的應(yīng)用，并展開了一些分析。本書面向物理學(xué)、物理電子學(xué)和計(jì)算物理學(xué)等專業(yè)的本科生或研究生，以及從事等離子體、微波大功率放電和表面微分析等領(lǐng)域的研究人員，除此之外，本書提供了大量的材料基礎(chǔ)數(shù)據(jù)，還可為相關(guān)工程設(shè)計(jì)領(lǐng)域的工程師提供參考和借鑒。\"

作者簡(jiǎn)介

　　封國(guó)寶，工學(xué)博士，工程師，2016年畢業(yè)于西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)，現(xiàn)任職于中國(guó)空間技術(shù)研究院西安分院。長(zhǎng)期從事空間微波環(huán)境下粒子理論仿真和微波部件輻照效應(yīng)研究。主持自然科學(xué)基金項(xiàng)目、中央科技委基礎(chǔ)加強(qiáng)重點(diǎn)項(xiàng)目子課題、總裝預(yù)研重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金課題、中國(guó)博士后科學(xué)基金項(xiàng)目、陜西省博士后科學(xué)基金項(xiàng)目等多項(xiàng) 及省部級(jí)課題。獲中國(guó)空間技術(shù)研究院“杰出青年”人才計(jì)劃支持；獲陜西省技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、陜西省電子學(xué)會(huì)一等獎(jiǎng)各1項(xiàng)；發(fā)表學(xué)術(shù)論文20余篇，授權(quán)和受理專利10余項(xiàng)。

圖書目錄

第1章緒論
1.1 基本概念
1.2 應(yīng)用背景
1.3 研究現(xiàn)狀
1.3.1 二次電子發(fā)射特性約研究
1.3.2 介質(zhì)材料的帶電特性研究
1.3.3 二次電子動(dòng)態(tài)發(fā)射
第2章二次電子發(fā)射理論模型及測(cè)量
2.1 二次電子發(fā)射數(shù)值理論模型
2.1.1 Vaughan模型
2.1.2 Furman模型
2.1.3 Monte Carlo數(shù)值模型
2.1.4 半物理模型
2.2 二次電子發(fā)射的測(cè)量
2.2.1 金屬材料的二次電子發(fā)射測(cè)量
2.2.2 介質(zhì)材料的二次電子發(fā)射測(cè)量
2.3 典型材料二次電子產(chǎn)額測(cè)量結(jié)果
2.3.1 常見金屬材料的二次電子發(fā)射產(chǎn)額及能譜測(cè)量數(shù)據(jù)
2.3.2 常見介質(zhì)材料的二次電子發(fā)射產(chǎn)額測(cè)量數(shù)據(jù)
第3章二次電子發(fā)射表面調(diào)控技術(shù)
3.1 表面微結(jié)構(gòu)抑制二次電子發(fā)射
3.1.1 表面構(gòu)型抑制二次電子的基本原理
3.1.2 樣品表面規(guī)則槽結(jié)構(gòu)
3.1.3 收攏式表面陷阱結(jié)構(gòu)
3.1.4 二維嵌套式陷阱結(jié)構(gòu)抑制二次電子發(fā)射
3.1.5 抑制二次電子的表面構(gòu)型技術(shù)工藝
3.2 表面鍍膜調(diào)控二次電子發(fā)射
3.2.1 表面鍍膜技術(shù)調(diào)控SEY的原理
3.2.2 表面鍍膜技術(shù)抑制SEY
3.2.3 表面鍍膜技術(shù)增強(qiáng)SEY
3.2.4 其他技術(shù)
3.2.5 表面鍍膜技術(shù)與表面構(gòu)型技術(shù)的結(jié)合
第4章介質(zhì)材料的帶電及二次電子動(dòng)態(tài)發(fā)射
4.1 電子照射介質(zhì)材料帶電特性
4.1.1 電荷輸運(yùn)理論及模型
4.1.2 充電動(dòng)態(tài)模擬流程
4.1.3 電子輻照介質(zhì)帶電分布特性
4.2 介質(zhì)帶電下的二次電子發(fā)射動(dòng)態(tài)特性
4.2.1 帶電平衡數(shù)值模型
4.2.2 樣品參數(shù)對(duì)平衡模式的影響
第5章電子轟擊對(duì)介質(zhì)材料的影響
5.1 電子輻照帶電效應(yīng)下的微波介電特性
5.1.1 多能量電子束輻照
5.1.2 帶電效應(yīng)影響介電常數(shù)
5.1.3 對(duì)DRA的影響
5.2 電子轟擊對(duì)材料表面的影響
5.2.1 放電所需的電子輻照量測(cè)試
5.2.2 表面放電電位數(shù)值模擬
5.2.3 電子轟擊下的表面釋氣
5.2.4 表面化學(xué)鍵與表面形貌