GaN量子阱光電探測器中單電子態(tài)的數(shù)值計算

章 Ⅲ族氮化物的基本性質(zhì)
1.1 晶體結(jié)構(gòu)
1.2 能帶結(jié)構(gòu)
1.3 缺陷和雜質(zhì)
參考文獻
第二章 GaN量子阱的基本性質(zhì)
2.1 帶階
2.2 應(yīng)變
2.3 極化電場
2.4 電子氣屏蔽效應(yīng)
2.5 電聲子相互作用
參考文獻
第三章 GaN量子阱中的電子態(tài)
3.1 引言
3.2 理論計算模型
3.3 極化電場對量子阱中電子和空穴本征態(tài)的影響
3.4 電子-空穴氣屏蔽影響下應(yīng)變量子阱中電子和空穴的本征態(tài)
3.5 外電場下應(yīng)變量子阱中電子與空穴的本征態(tài)
3.6 電聲子相互作用對量子阱中電子本征態(tài)的影響
3.7 小結(jié)
參考文獻
第四章 GaN量子阱中的類氫雜質(zhì)態(tài)
4.1 引言
4.2 理論計算模型
4.3 單量子阱情形
4.4 雙量子阱情形
4.5 小結(jié)
參考文獻
第五章 GaN量子阱中的激子態(tài)
5.1 引言
5.2 理論模型
5.3 閃鋅礦［001］取向GaN量子阱中的激子態(tài)
5.4 閃鋅礦［111］取向GaN量子阱中的激子態(tài)
5.5 纖鋅礦［0001］取向GaN量子阱中的激子態(tài)
5.6 小結(jié)
參考文獻
第六章 GaN量子阱中的電子子帶躍遷
6.1 引言
6.2 GaN量子阱中的電子子帶躍遷
6.3 GaN量子阱中電子的聲子輔助子帶間躍遷
6.4 小結(jié)
參考文獻
附錄