極簡圖解半導(dǎo)體技術(shù)基本原理（原書第3版）

目錄
譯者序
原書前言
第1章什么是半導(dǎo)體？
需要了解的基本物理知識
1-1什么是半導(dǎo)體？
1-2導(dǎo)體和絕緣體有什么不同？
1-3半導(dǎo)體的雙重導(dǎo)電性：從絕緣體到導(dǎo)體的質(zhì)變
1-4半導(dǎo)體材料硅是什么？
1-5根據(jù)雜質(zhì)類型的不同制成P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體
1-6N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)——能級提升的真正原因是什么？
1-7搭載LSI的基板——硅晶圓的制造方法
第2章什么是IC、LSI？
LSI的類型和應(yīng)用
2-1實現(xiàn)高性能電子設(shè)備的LSI
2-2硅晶圓上的LSI
2-3LSI有哪些種類？
2-4按功能對LSI進(jìn)行分類
2-5存儲器的類型
2-6定制ASIC有哪些種類？
2-7微型計算機(jī)的組成
2-8所有功能向單片化、系統(tǒng)LSI的方向發(fā)展
2-9搭載系統(tǒng)LSI的設(shè)備——手機(jī)發(fā)生的變化
2-10搭載系統(tǒng)LSI的設(shè)備——數(shù)碼相機(jī)的變化
第3章半導(dǎo)體元件的基本操作
晶體管的基本原理
3-1PN結(jié)是半導(dǎo)體的根本
3-2使電流單一方向流動的二極管
3-3雙極型晶體管的基本原理
3-4LSI的基本元件MOS晶體管（PMOS、NMOS）
3-5什么是最常用的CMOS？
3-6存儲器DRAM的基本構(gòu)造和工作原理
3-7什么是活躍于移動設(shè)備的閃存？
3-8DRAM、閃存及下一代通用存儲器
第4章數(shù)字電路原理
了解如何進(jìn)行計算
4-1模擬量和數(shù)字量有什么不同？
4-2數(shù)字處理的基礎(chǔ)——什么是二進(jìn)制數(shù)？
4-3LSI邏輯電路的基礎(chǔ)——布爾代數(shù)
4-4LSI中使用的基本邏輯門
4-5用邏輯門進(jìn)行十進(jìn)制數(shù)到二進(jìn)制數(shù)的轉(zhuǎn)換
4-6數(shù)字電路中如何實現(xiàn)加法運算(加法器)？
4-7數(shù)字電路中如何實現(xiàn)減法運算(減法器)？
4-8其他重要的基本數(shù)字電路
第5章LSI的開發(fā)與設(shè)計
設(shè)計工程是怎樣的
5-1LSI開發(fā)——從規(guī)劃到產(chǎn)品化
5-2功能設(shè)計——確定想要實現(xiàn)什么樣的功能
5-3邏輯設(shè)計——邏輯門級的功能確認(rèn)
5-4 版圖／掩模設(shè)計——在保證電氣性能的前提下實現(xiàn)芯片最小化
5-5電路設(shè)計——更詳細(xì)的晶體管級設(shè)計
5-6光掩模——LSI制造過程中使用的版圖原版
5-7最新的設(shè)計技術(shù)趨勢——基于軟件技術(shù)、IP利用的設(shè)計
5-8LSI電氣特性的缺陷分析與評價——如何進(jìn)行出廠測試?
第6章LSI制造的前端工程
硅芯片是如何制成的？
6-1半導(dǎo)體生產(chǎn)的全過程概覽
6-2清洗技術(shù)和清洗設(shè)備
6-3沉積技術(shù)和膜的類型
6-4膜是如何成型的？
6-5用于精細(xì)加工的光刻技術(shù)
6-6決定晶體管尺寸極限的曝光技術(shù)是什么？
6-7什么是三維精細(xì)加工的蝕刻？
6-8什么是雜質(zhì)擴(kuò)散工序？
6-9連接半導(dǎo)體元件的金屬布線
6-10通過CMOS反相器了解制造工序
第7章LSI制造的后端工程和封裝技術(shù)
從封裝到測試和發(fā)貨
7-1從硅芯片的封裝到測試和發(fā)貨
7-2封裝的種類和外形
7-3BGA和CSP是什么樣的封裝？
7-4將多個芯片封裝在同一個封裝中的SIP
7-5采用貫通電極TSV的三維封裝技術(shù)
7-6高密度封裝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展
第8章代表性半導(dǎo)體元件
8-1光電半導(dǎo)體的基本原理 (發(fā)光二極管和光電二極管)
8-2作為照明燈具的白色光LED的出現(xiàn)
8-3集成大量光電二極管的圖像傳感器
8-4使IT社會的高速通信網(wǎng)絡(luò)成為可能的半導(dǎo)體激光器
8-5藍(lán)光激光器實現(xiàn)了高圖像質(zhì)量和長時間的記錄存儲
8-6有助于節(jié)約電能的功率半導(dǎo)體
8-7IC卡微處理器
8-8改變銷售管理機(jī)制的無線通信IC電子標(biāo)簽
第9章半導(dǎo)體的工藝制程將被微細(xì)化到什么程度?
9-1晶體管微細(xì)化結(jié)構(gòu)的極限
9-2微細(xì)化加速了電子設(shè)備的高性能化
參考文獻(xiàn)