半導(dǎo)體微縮圖形化與下一代光刻技術(shù)精講

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緒　言　　半導(dǎo)體微縮圖形化技術(shù)與光刻技術(shù)
?1??  引言 
?2??  微縮化的指導(dǎo)原則及其效果 
?3??  光刻技術(shù)的發(fā)展及其困難 
?4??  下一代光刻技術(shù)及未來發(fā)展 
第 1 章　 光掩膜 
1.1　引言 
1.2　光掩膜的起源 
1.3　光掩膜的結(jié)構(gòu) 
1.4　光掩膜的制造工藝 
1.5　掩膜版的挑戰(zhàn)及未來展望 
第 2 章　 下一代光刻技術(shù)發(fā)展趨勢 
2.1　下一代光刻技術(shù) 
2.2　EUV光刻技術(shù) 
2.3　電子束刻蝕技術(shù) 
2.4　納米壓印技術(shù) 
2.5　定向自組裝（Directed　Self Assembly）技術(shù) 
第 3 章　 EUV掩膜技術(shù) 
3.1　EUV掩膜版制造技術(shù) 
3.2　掩膜技術(shù) 
第 4 章　 納米壓印技術(shù) 
4.1　納米壓印設(shè)備 
4.2　納米壓印模板技術(shù) 
第 5 章　 電子束刻蝕技術(shù)與設(shè)備開發(fā) 
5.1　可變形電子束刻蝕設(shè)備 
5.2　多電子束刻蝕設(shè)備 
第 6 章　 定向自組裝（DSA）技術(shù) 
6.1　引言 
6.2　DSA技術(shù)中聚合物的自組裝 
6.3　DSA工藝的基本步驟 
6.4　DSA工藝相關(guān)材料 
6.5　DSA工藝的模擬 
6.6　DSA技術(shù)的優(yōu)勢和挑戰(zhàn) 
6.7　結(jié)語 
第 7 章　 光刻膠材料的發(fā)展趨勢 
7.1　引言 
7.2　光刻膠技術(shù)的轉(zhuǎn)折點(diǎn) 
7.3　曝光波長的縮短和光刻膠的光吸收 
7.4　顯影液的演變 
7.5　感光膠的感光機(jī)制演變及對比度提高 
7.6　分辨率限制與分子尺寸的考察 
7.7　結(jié)語 
第 8 章　 含金屬光刻膠材料技術(shù) 
8.1　初期的含金屬光刻膠 
8.2　EUV含金屬光刻膠的特點(diǎn) 
8.3　康奈爾大學(xué)、昆士蘭大學(xué)、EIDEC的含金屬光刻膠 
8.4　含金屬光刻膠的構(gòu)成 
8.5　俄勒岡州立大學(xué)、Inpria公司、IMEC的含金屬光刻膠 
8.6　其他含金屬光刻膠 
8.7　含金屬光刻膠的功能提升 
第 9 章　 多重圖形化中的沉積和刻蝕技術(shù) 
9.1　多重圖形化中沉積和刻蝕技術(shù)的作用 
9.2　沉積技術(shù) 
9.3　刻蝕技術(shù) 
9.4　結(jié)語 
第 10 章　 光散射測量技術(shù) 
10.1　引言 
10.2　半導(dǎo)體光刻技術(shù) 
10.3　反射光測量技術(shù) 
10.4　散射計(jì) 
10.5　優(yōu)化方法 
10.6　光散射測量分析的實(shí)例 
10.7　結(jié)語 
第 11 章　 掃描探針顯微鏡技術(shù) 
11.1　引言 
11.2　AFM的原理 
11.3　各種SPM技術(shù) 
11.4　SPM的特點(diǎn) 
11.5　SPM的應(yīng)用 
11.6　結(jié)語 
第 12 章　 基于小角度X射線散射的尺寸和形狀測量技術(shù) 
12.1　引言 
12.2　X射線散射 
12.3　小角度X射線散射的測量方法 
12.4　測量示例 
12.5　結(jié)語 
第 13 章　 MEMS技術(shù)的微縮圖形化應(yīng)用 
13.1　引言 
13.2　EUV光源濾波器 
13.3　基于有源矩陣納米硅電子源的超大規(guī)模平行電子束刻蝕 
13.4　結(jié)語 
第 14 章　 先進(jìn)刻蝕技術(shù)概要?原子級低損傷高精度刻蝕 
14.1　引言 
14.2　中性粒子束生成裝置 
14.3　22nm節(jié)點(diǎn)之后的縱向鰭式場效應(yīng)晶體管 
14.4　無缺陷納米結(jié)構(gòu)及其特性 
14.5　原子層面的表面化學(xué)反應(yīng)控制 
14.6　結(jié)語