基于氮化鎵的高頻高效功率轉換技術

定　價：￥56.00

作　者：	鄭雪峰
出版社：	西安電子科技大學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787560673134	出版時間：	2024-08-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內容簡介

　　本書共8章，主要內容包括GaN體單晶襯底和Si基GaN外延、橫向GaN基HEMT器件及其結構、垂直型GaN基電力電子晶體管、GaN基功率器件的可靠性、GaN基功率器件的魯棒性驗證、寄生效應對GaN基功率轉換器的影響、GaN基AC/DC功率轉換器、GaN基開關模式功率放大器等。本書內容涵蓋范圍廣，從材料生長到器件制造、從特性分析到魯棒性驗證、從電路設計到系統(tǒng)應用，層次清晰且系統(tǒng)性較強，可讀性較高；其內容具有一定的前瞻性與先進性，所涉及的技術領域與工藝水平均為目前國際主流。本書可作為微電子、電子信息工程、電氣工程等專業(yè)的本科生以及相關專業(yè)的研究生教材，也可以供從事半導體器件設計、器件可靠性分析、電力電子系統(tǒng)開發(fā)的工程技術人員參考。