寬禁帶功率半導(dǎo)體封裝材料、元件和可靠性

定　價：￥119.00

作　者：	[日］菅沼克昭（Katsuaki Suganuma）
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111763178	出版時間：	2024-09-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書是國外學(xué)者們對寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢的及時總結(jié)。首先，對寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢做了總結(jié)和預(yù)演判斷，講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學(xué)屬性，以及它們在極端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，并對不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷卻技術(shù)和散熱器設(shè)計進行了介紹。然后，考慮到功率器件的質(zhì)量必須通過各種測試和可靠性驗證方法來評估，還介紹了瞬態(tài)熱測試的原理和方法，同時闡述了各種可靠性測試的機理和選擇動機。最后，就計算機輔助工程模擬方法列舉了許多經(jīng)典案例。通過本書的學(xué)習(xí)，讀者可以建立起寬禁帶功率半導(dǎo)體器件封裝的全面概念，為進一步深入研究打下基礎(chǔ)。本書可作為封裝或微電子等專業(yè)的高年級本科生和研究生的課程教材或課外閱讀材料，也可作為封裝開發(fā)和設(shè)計人員的參考書。

作者簡介

　　菅沼克昭（Katsuaki Suganuma），大阪大學(xué)產(chǎn)業(yè)科學(xué)研究所。他開發(fā)了一種電路形成工藝，該工藝使用導(dǎo)電漿料，其中超細銀顆粒分散在納米（nm）級。菅沼克昭與財團達成合作，共同將該技術(shù)商業(yè)化。

圖書目錄

譯者序
貢獻者列表
第一部分未來的前景
第1章未來技術(shù)趨勢3
1.1電力電子系統(tǒng)的發(fā)展趨勢——對下一代功率器件的影響3
1.1.1Si基材料的功率器件的發(fā)展趨勢7
1.1.2總結(jié)和展望11
1.2未來的器件概念：基于SiC的功率器件12
1.2.1在4H-SiC上的單極功率半導(dǎo)體器件的研究進展12
1.2.2在4H-SiC上的雙極功率半導(dǎo)體器件的研究進展21
1.3基于GaN的功率器件26
1.3.1AlGaN/GaN-HFET作為一個GaN晶體管器件的概念26
1.3.2垂直GaN晶體管的概念28
1.3.3GaN-HFET器件對電力電子開關(guān)晶體管的好處29
1.3.4正常關(guān)斷GaN HFET31
1.3.5Si基GaN的外延和垂直隔離33
1.3.6橫向電壓關(guān)斷35
1.3.7色散效應(yīng)和電壓關(guān)斷37
1.3.8開關(guān)速度38
1.3.9芯片集成39
1.3.10雙向晶體管40
1.3.11快速柵極驅(qū)動41
1.3.12在硬開關(guān)或軟開關(guān)拓撲中使用GaN41
1.3.13開關(guān)頻率超過1MHz42
1.4WBG功率器件及其應(yīng)用43
致謝44
參考文獻44
進一步閱讀49
第二部分基礎(chǔ)和材料
第2章互連技術(shù)53
2.1簡介53
2.2芯片焊接技術(shù)54
2.2.1高溫焊料54
2.2.2TLP鍵合59
2.2.3燒結(jié)連接60
2.3布線67
2.3.1Al和Cu線67
2.3.2Al和Cu帶鍵合68
2.4平面和三維互連70
參考文獻73
第3章基板74
3.1簡介74
3.2功率模塊的陶瓷基板75
3.2.1陶瓷基板的種類75
3.2.2高熱導(dǎo)率Si3N4陶瓷的研制76
3.3金屬化陶瓷基板78
3.4金屬化陶瓷基板中存在的問題79
3.4.1金屬化陶瓷基板中的殘余熱應(yīng)力79
3.4.2金屬化陶瓷基板的可靠性80
3.5結(jié)論84
參考文獻85
第三部分元件
第4章磁性材料89
4.1簡介89
4.2磁性材料的磁性特性89
4.2.1磁化強度和磁感應(yīng)強度89
4.2.2磁滯90
4.2.3磁心損耗91
4.2.4磁晶各向異性和磁致伸縮91
4.3軟磁材料的分類以及磁性特性的比較91
4.3.1金屬軟磁材料和軟磁鐵氧體的特點92
4.3.2結(jié)晶軟磁材料93
4.3.3軟磁鐵氧體94
4.3.4非晶合金94
4.3.5納米晶合金95
4.4應(yīng)用示例和比較95
4.4.1高頻電抗器95
4.4.2高頻變壓器96
4.5未來趨勢97
參考文獻98
第四部分性能測試和可靠性評估
第5章功率半導(dǎo)體器件的冷卻技術(shù)101
5.1簡介101
5.2SiC/GaN功率半導(dǎo)體的特性及冷卻問題101
5.2.1高溫運行的響應(yīng)102
5.2.2對高產(chǎn)熱密度的響應(yīng)103
5.2.3半導(dǎo)體冷卻的三個問題104
5.3常用設(shè)計104
5.4功率半導(dǎo)體冷卻的預(yù)期技術(shù)105
5.4.1熱傳導(dǎo)路徑的演進：直接冷卻［3］105
5.4.2高級傳熱技術(shù)：用于液體冷卻的高性能散熱片107
5.5冷卻板和散熱器的材料110
5.5.1下一代功率半導(dǎo)體冷卻板材料的問題110
5.5.2熱變形和應(yīng)力的結(jié)構(gòu)和材料方法112
5.5.3對新材料的期望113
參考文獻114
第6章熱瞬態(tài)測試115
6.1熱瞬態(tài)測試的概述和介紹115
6.2熱瞬態(tài)測試116
6.3線性理論：Zth曲線和結(jié)構(gòu)函數(shù)119
6.3.1Zth曲線119
6.3.2熱時間常數(shù)120
6.3.3結(jié)構(gòu)函數(shù)122
6.4三個終端器件的熱測試125
6.5使用結(jié)構(gòu)函數(shù)進行熱分析的進一步示例128
6.5.1芯片焊接質(zhì)量分析128
6.5.2TIM分析129
6.5.3對流冷卻分析129
6.5.4散熱器比較130
6.6寬禁帶半導(dǎo)體的熱瞬態(tài)測試132
6.6.1SiC器件測試132
6.6.2GaN器件測試134
6.7結(jié)論138
參考文獻138
第7章可靠性評估140
7.1簡介140
7.2SiC MOS結(jié)構(gòu)的柵極氧化物的可靠性141
7.2.1柵極氧化物在開關(guān)狀態(tài)下的可靠性141
7.2.2內(nèi)在和外在氧化物分解143
7.2.3威布爾統(tǒng)計和氧化物減薄模型145
7.2.4臨界外在物的定義和減少147
7.2.5篩選后的失效率和失效概率149
7.2.6RON和dox的權(quán)衡151
7.2.7 逐步增大柵極電壓的測試過程和測試結(jié)果152
7.2.8結(jié)論154
7.3高溫反向偏置測試155
7.4高溫高濕反向偏置測試157
7.5溫度循環(huán)158
7.6功率循環(huán)159
7.6.1測試設(shè)置和結(jié)溫測定159
7.6.2熱模擬結(jié)果163
7.6.3通過SiC MOSFET的電氣參數(shù)進行主動加熱和溫度傳感164
7.6.4推薦測試方法：正向加載，反向檢測Vj166
7.6.5SiC二極管和MOSFET的測試結(jié)果168
7.7重復(fù)性雙極工作測試171
7.8進一步的可靠性方面171
7.9GaN可靠性評估知識狀態(tài)173
7.10寬禁帶器件可靠性研究的綜述176
參考文獻176
進一步閱讀180
第8章計算機輔助模擬181
8.1簡介181
8.1.1計算機輔助工程模擬181
8.1.2電力電子應(yīng)用中的CAE182
8.2功率半導(dǎo)體的熱模擬183
8.2.1熱堆183
8.2.2電力電子學(xué)中對流體動力學(xué)的計算184
8.3電熱優(yōu)化185
8.3.1功率模塊的熱耦合185
8.3.2功率模塊中的寄生電感186
8.4案例研究188
8.4.1在SiC功率模塊中的熱應(yīng)力188
8.4.2基于任務(wù)場景的分析方法之一188
8.4.3基于任務(wù)場景的分析方法之二190
8.4.4統(tǒng)計分析模型192
8.4.5電熱分析模型192
8.4.6熱機械模型193
8.4.7雨流計數(shù)方法197
8.4.8減少寄生電感200
8.5結(jié)論201
參考文獻201