薄膜晶體管集成電路

目錄
前言
第1章 薄膜晶體管(TFT)概述 1
1.1 非晶硅(a-Si)TFT 1
1.1.1 材料特性 1
1.1.2 器件結(jié)構(gòu)與工藝 5
1.1.3 器件電學(xué)性能 9
1.2 多晶硅(p-Si)TFT 17
1.2.1 材料特性 17
1.2.2 器件結(jié)構(gòu)與工藝 18
1.2.3 器件電學(xué)性能 23
1.3 非晶氧化物TFT 30
1.3.1 材料特性 30
1.3.2 器件結(jié)構(gòu)與工藝 34
1.3.3 器件電學(xué)性能 38
1.4 本章小結(jié) 45
參考文獻 46
第2章 有源矩陣液晶顯示(AMLCD)TFT電路 50
2.1 AMLCD簡介 50
2.2 AMLCD像素電路 52
2.2.1 非晶硅(a-Si)TFT像素電路設(shè)計 52
2.2.2 多晶硅TFT像素電路設(shè)計 60
2.2.3 氧化物TFT像素電路設(shè)計 62
2.3 TFT集成的行驅(qū)動電路 64
2.3.1 a-Si TFT集成行驅(qū)動電路 65
2.3.2 LTPSTFT集成行驅(qū)動電路 85
2.3.3 氧化物TFT集成行驅(qū)動電路 89
2.4 TFT集成的列驅(qū)動電路 105
2.4.1 非晶硅TFT集成列驅(qū)動電路 106
2.4.2 多晶硅TFT集成列驅(qū)動電路 109
2.4.3 氧化物TFT集成列驅(qū)動電路 113
2.5 本章小結(jié) 116
參考文獻 116
第3章 有源矩陣有機發(fā)光二極管(AMOLED)顯示TFT電路 120
3.1 AMOLED顯示原理 120
3.2 AMOLED像素電路補償原理 124
3.2.1 電流編程補償原理 124
3.2.2 電壓編程補償原理 127
3.2.3 電流電壓混合編程型補償原理 131
3.2.4 外部補償原理 131
3.2.5 不同類型像素電路的比較 132
3.3 AMOLED像素電路 133
3.3.1 多晶硅TFT像素電路 133
3.3.2 氧化物TFT像素電路 142
3.3.3 LTPOTFT像素電路 160
3.4 集成行驅(qū)動電路 167
3.4.1 LTPSTFT集成的行驅(qū)動電路 168
3.4.2 氧化物TFT集成行驅(qū)動電路 172
3.4.3 LTPOTFT集成行驅(qū)動電路 183
3.5 集成列驅(qū)動電路 189
3.5.1 多晶硅TFT集成列驅(qū)動電路 189
3.5.2 多晶硅TFT集成列線選擇開關(guān)模塊 193
3.6 本章小結(jié) 194
參考文獻 195
第4章 有源矩陣微型發(fā)光二極管(AM-MLED)顯示TFT電路 198
4.1 AM-MLED 顯示簡介 198
4.2 AM-MLED顯示驅(qū)動原理 201
4.2.1 PAM驅(qū)動原理 202
4.2.2 PWM驅(qū)動原理 204
4.2.3 數(shù)字式PWM驅(qū)動原理 206
4.2.4 模擬式PWM驅(qū)動原理 207
4.2.5 數(shù)?；旌鲜絇WM驅(qū)動原理 208
4.2.6 脈沖混合調(diào)制(PHM)驅(qū)動原理 210
4.3 AM-MLED顯示像素電路 211
4.3.1 LTPSTFT 像素電路 211
4.3.2 非晶氧化物(AOS) TFT像素電路 219
4.3.3 LTPO TFT 像素電路 240
4.4 AM-MLED顯示的TFT集成行驅(qū)動電路 244
4.4.1 多晶硅TFT集成行驅(qū)動電路 245
4.4.2 氧化物TFT集成行驅(qū)動電路 248
4.5 本章小結(jié) 255
參考文獻 255
第5章 X射線成像探測器TFT電路 258
5.1 X射線成像技術(shù)概述 258
5.2 X射線成像原理 260
5.2.1 直接與間接探測成像 260
5.2.2 無源和有源像素探測 264
5.2.3 探測器主要性能參數(shù) 265
5.3 無源像素探測(PPS) TFT電路 267
5.3.1 基于光電二極管(PD)的PPS電路 267
5.3.2 基于光電晶體管(PT)的PPS電路 274
5.4 有源像素探測(APS) TFT電路 283
5.4.1 基于光電二極管(PD)的APS電路 286
5.4.2 基于光電晶體管(PT)的APS電路 297
5.5 行驅(qū)動電路與外圍讀出電路 304
5.5.1 TFT集成的行驅(qū)動電路 304
5.5.2 外圍讀出電路 307
5.6 本章小結(jié) 310
參考文獻 310