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當(dāng)前位置: 首頁(yè)出版圖書(shū)科學(xué)技術(shù)工業(yè)技術(shù)無(wú)線(xiàn)電電子學(xué)、電信技術(shù)Empyrean模擬集成電路設(shè)計(jì)與工程

Empyrean模擬集成電路設(shè)計(jì)與工程

Empyrean模擬集成電路設(shè)計(jì)與工程

定 價(jià):¥89.80

作 者: 胡遠(yuǎn)奇 王昭昊
出版社: 人民郵電出版社
叢編項(xiàng):
標(biāo) 簽: 暫缺

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ISBN: 9787115636195 出版時(shí)間: 2024-07-01 包裝: 平裝-膠訂
開(kāi)本: 16開(kāi) 頁(yè)數(shù): 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

  本書(shū)著重介紹模擬集成電路的核心特性和設(shè)計(jì)方法,理論部分簡(jiǎn)要介紹擬集成電路涉及的公式和原理,通過(guò)仿真案例為教學(xué)打下基礎(chǔ),確保讀者能夠“知其然,知其所以然”。本書(shū)以“先模仿復(fù)現(xiàn)、后創(chuàng)新設(shè)計(jì)”的思路設(shè)置了不同難度的仿真練習(xí),并詳細(xì)介紹操作流程,使讀者可以自主完成相應(yīng)的仿真實(shí)驗(yàn),從而掌握集成電路設(shè)計(jì)思路逐步培養(yǎng)全局規(guī)劃能力和工程思維方式,為后續(xù)深入學(xué)習(xí)高階模擬集成電路課程奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。本書(shū)適合電子信息和集成電路相關(guān)專(zhuān)業(yè)本科生和研究生閱讀,也可為模擬集成電路技術(shù)發(fā)燒友提供有益參考。

作者簡(jiǎn)介

  胡遠(yuǎn)奇 長(zhǎng)期從事高精度數(shù)?;旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)工作。2015年獲英國(guó)帝國(guó)理工學(xué)院博士學(xué)位,2015—2018年擔(dān)任芯片企業(yè)Cirrus Logic的研發(fā)設(shè)計(jì)師,2018年入職北京航空航天大學(xué),獲評(píng)國(guó) 家級(jí)青年人才。主持國(guó)家自然科學(xué)基金區(qū)域聯(lián)合重點(diǎn)項(xiàng)目等7個(gè)項(xiàng)目,發(fā)表論文20余篇。擔(dān)任國(guó)家“十四五”重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“微納電子技術(shù)”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)總體專(zhuān) 家組成員、IEEE TBiOCAS 編委及IEEECAS傳感系統(tǒng)技術(shù)委員會(huì)委員等。 王昭昊 長(zhǎng)期從事存儲(chǔ)器及集成電路教學(xué)科研工作。2015年獲法國(guó)巴黎薩克雷大學(xué)物理學(xué)博士學(xué)位,2016年入職北京航空航天大學(xué)。主講本科生核心專(zhuān)業(yè)課“模擬集成電路基礎(chǔ)”,以第 一作者或通信作者身份發(fā)表學(xué)術(shù)論文60余篇,獲30余項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利授權(quán),轉(zhuǎn)讓專(zhuān)利4項(xiàng)。獲北京市高等教育教學(xué)成果二等獎(jiǎng)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)自然科學(xué)一等獎(jiǎng)等。

圖書(shū)目錄

第 1 章 緒論 1
1.1 經(jīng)典的模擬集成電路 1
1.2 模擬集成電路的主要推動(dòng)力 2
1.3 CMOS 技術(shù)與工藝 3
1.4 設(shè)計(jì)技巧與工程思想 3
1.5 電路仿真工具: 華大九天Empyrean 4

第 2 章 MOSFET 物理特性 6
2.1 MOSFET 的基本伏安特性 6
2.1.1 原理簡(jiǎn)介 6
2.1.2 仿真實(shí)驗(yàn): MOSFET 的伏安特性曲線(xiàn) 7
2.1.3 仿真實(shí)驗(yàn): MOSFET 的二級(jí)效應(yīng) 14
2.2 MOSFET 的小信號(hào)模型 21
2.2.1 小信號(hào)模型的理論依據(jù) 21
2.2.2 仿真實(shí)驗(yàn): MOSFET 的小信號(hào)參數(shù)測(cè)試 24
2.3 MOSFET 的幾種常見(jiàn)連接方式 33
2.3.1 MOSFET 的二極管連接方式 33
2.3.2 MOSFET 的電流源連接方式 34
2.3.3 仿真實(shí)驗(yàn):二極管連接型MOSFET 和電流源連接型 MOSFET 34
2.4 課后練習(xí) 37

第 3 章 CMOS 單級(jí)放大器 38
3.1 共源放大器 38
3.1.1 以電阻為負(fù)載的共源放大器 38
3.1.2 推挽放大器 41
3.1.3 帶源極負(fù)反饋的共源放大器 42
3.1.4 仿真實(shí)驗(yàn):共源放大器 43
3.2 源跟隨器 51
3.2.1 源跟隨器的基礎(chǔ)理論 52
3.2.2 仿真實(shí)驗(yàn):源跟隨器仿真 53
3.3 共柵放大器 56
3.3.1 共柵放大器的基礎(chǔ)理論 56
3.3.2 仿真實(shí)驗(yàn):共柵放大器的仿真 57
3.4 共源共柵放大器 60
3.4.1 共源共柵放大器的基礎(chǔ)理論 61
3.4.2 仿真實(shí)驗(yàn):共源共柵放大器的仿真 62
3.5 課后練習(xí) 65

第 4 章 CMOS 差分放大器 66
4.1 基本差分對(duì) 66
4.1.1 基本差分對(duì)的直流分析 67
4.1.2 仿真實(shí)驗(yàn):基本差分對(duì)的直流特性分析 68
4.1.3 半邊電路法 71
4.1.4 仿真實(shí)驗(yàn):基本差分對(duì)的小信號(hào)特性分析 73
4.2 共模響應(yīng) 76
4.2.1 尾電流源阻抗的影響 76
4.2.2 MOSFET 失配的影響 78
4.2.3 仿真實(shí)驗(yàn):差分放大器的共模響應(yīng) 78
4.3 課后練習(xí) 84

第 5 章 電流鏡與偏置電路 85
5.1 電流鏡的工作原理 85
5.1.1 基本電流鏡 85
5.1.2 共源共柵電流鏡 87
5.1.3 仿真實(shí)驗(yàn):電流鏡的特性曲線(xiàn) 88
5.2 高輸出擺幅的共源共柵電流鏡 91
5.2.1 共源共柵電流鏡擺幅分析 91
5.2.2 兩種高輸出擺幅的共源共柵電流鏡 91
5.2.3 仿真實(shí)驗(yàn):高輸出擺幅的共源共柵電流鏡 94
5.3 電流鏡用作有源負(fù)載 96
5.3.1 有源負(fù)載的原理 96
5.3.2 仿真實(shí)驗(yàn):以電流鏡作為負(fù)載的差分放大器 98
5.4 偏置電路 103
5.4.1 恒定跨導(dǎo)偏置電路 104
5.4.2 仿真實(shí)驗(yàn):恒定跨導(dǎo)偏置電路 106
5.5 課后練習(xí) 111

第 6 章 頻率響應(yīng) 112
6.1 頻域分析的基礎(chǔ)理論 112
6.1.1 零點(diǎn)和極點(diǎn) 112
6.1.2 波特圖 114
6.1.3 仿真實(shí)驗(yàn):二階系統(tǒng)的幅頻響應(yīng) 116
6.2 共源放大器的頻率特性 121
6.2.1 MOSFET 電容 121
6.2.2 小信號(hào)分析法 121
6.2.3 近似分析 123
6.2.4 特征頻率 125
6.2.5 仿真實(shí)驗(yàn):共源放大器的頻率響應(yīng) 126
6.3 課后練習(xí) 131

第 7 章 MOSFET 的進(jìn)階特性 132
7.1 弱反型區(qū) 132
7.1.1 理論分析與模型 132
7.1.2 仿真實(shí)驗(yàn): MOSFET 的弱反型區(qū) 134
7.2 速度飽和區(qū) 138
7.2.1 理論分析與模型 138
7.2.2 仿真實(shí)驗(yàn): MOSFET 的速度飽和區(qū) 140
7.3 共源放大器的特征頻率 142
7.3.1 跨區(qū)域特征頻率估算 142
7.3.2 仿真實(shí)驗(yàn):共源放大器的特征頻率 144
7.4 跨區(qū)域的工程設(shè)計(jì)方法論 147
7.4.1 gm/ID 方法論 147
7.4.2 仿真實(shí)驗(yàn): gm/ID 工程設(shè)計(jì)方法 148
7.5 課后練習(xí) 150

第 8 章 反饋與穩(wěn)定性 151
8.1 反饋與穩(wěn)定性問(wèn)題 151
8.1.1 開(kāi)環(huán)增益、閉環(huán)增益與環(huán)路增益 151
8.1.2 運(yùn)算放大器的反饋 152
8.1.3 運(yùn)算放大器的穩(wěn)定性 154
8.1.4 仿真實(shí)驗(yàn):相位裕度的測(cè)量 159
8.2 有源負(fù)載差分對(duì)的穩(wěn)定性 164
8.2.1 有源負(fù)載差分對(duì) 164
8.2.2 仿真實(shí)驗(yàn):有源負(fù)載差分對(duì)的頻率特性 166
8.3 課后練習(xí) 169

第 9 章 密勒運(yùn)算放大器的系統(tǒng)性設(shè)計(jì) 170
9.1 兩級(jí)運(yùn)算放大器的穩(wěn)定性問(wèn)題 170
9.1.1 兩級(jí)運(yùn)算放大器的級(jí)聯(lián) 170
9.1.2 極點(diǎn)分離技術(shù) 171
9.1.3 正零點(diǎn)補(bǔ)償技術(shù) 173
9.1.4 仿真實(shí)驗(yàn):兩級(jí)運(yùn)算放大器中的密勒補(bǔ)償 176
9.2 密勒運(yùn)算放大器的系統(tǒng)性設(shè)計(jì)方法 179
9.2.1 運(yùn)算放大器的系統(tǒng)性設(shè)計(jì)思路 179
9.2.2 仿真實(shí)驗(yàn):運(yùn)算放大器系統(tǒng)性設(shè)計(jì)方法 182
9.3 課后練習(xí) 184

第 10 章 噪聲 185
10.1 晶體管的噪聲 185
10.1.1 熱噪聲 185
10.1.2 閃爍噪聲 188
10.1.3 噪聲帶寬 189
10.1.4 仿真實(shí)驗(yàn): MOSFET噪聲特性的標(biāo)定 190
10.2 電路系統(tǒng)中的噪聲優(yōu)化 193
10.2.1 噪聲的等效轉(zhuǎn)換 193
10.2.2 仿真實(shí)驗(yàn):五管 OTA 的噪聲優(yōu)化 198
10.3 課后練習(xí) 201

第 11 章 失調(diào)與共模抑制比 202
11.1 失調(diào)的來(lái)源 202
11.1.1 隨機(jī)性失調(diào) 202
11.1.2 電路中失調(diào)因素的轉(zhuǎn)換 205
11.1.3 系統(tǒng)性失調(diào) 206
11.1.4 仿真實(shí)驗(yàn):五管 OTA 的輸入等效失調(diào)電壓優(yōu)化 207
11.2 共模抑制比 210
11.2.1 隨機(jī)性共模抑制比 211
11.2.2 系統(tǒng)性共模抑制比 214
11.2.3 共模抑制比的仿真測(cè)量方法 218
11.2.4 仿真實(shí)驗(yàn):五管 OTA 的共模抑制比設(shè)計(jì)與優(yōu)化 219
11.3 課后練習(xí) 223

附錄 本書(shū) 180 nm 工藝下 gm/ID仿真圖 224

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